Cgdとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device which has a new structure of a MOSFET wherein tradeoff relationship between Cgd/Cgs and state-on resistance is improved.例文帳に追加

Ｃｇｄ／Ｃｇｓとオン抵抗とのトレードオフ関係を改善したＭＯＳＦＥＴの新規構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Capacitances (Cgd) between gate and drain lines of transistor steps on the side near to a data line are increased and those on the side near to a pixel electrode are decreased in the multi-gate type transistor.例文帳に追加

マルチゲート・トランジスターにおいてデータ線に近い側のトランジスター段のゲート・ドレイン間容量（Ｃｇｄ）を多く、画素電極に近い側を少なくする。 - 特許庁

The pixel circuit 2 has an additional capacitor Cgd and a switching transistor Tr6 connected between the gate G and the drain D of a drive transistor Trd.例文帳に追加

画素回路２は、ドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧとドレインＤの間に接続された付加容量Ｃｇｄ及びスイッチングトランジスタＴｒ６を備えている。 - 特許庁

It is then heat treated at 600°C for 12 hours in a nitrogen atmosphere in order to crystallize the a-Si film 12a thus forming a CGD film 13.例文帳に追加

そして、窒素雰囲気中にて６００℃、１２時間の加熱処理を行って、ａ−Ｓｉ膜１２ａを結晶化して、ＣＧＳ膜１３を形成する。 - 特許庁

At this time, a charge extracting current IH is caused to flow in a path from a power line 4 to a power line 5 through the MOSFET 13, a gate-drain capacitor Cgd of the MOSFET 13, and a MOSFE 24, and the gate-drain capacitor Cgd of the MOSFE 13 is discharged in a certain time independently of the supply voltage VB.例文帳に追加

このとき、電源線４からＭＯＳＦＥＴ１３、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量ＣgdおよびＭＯＳＦＥＴ２４を介して電源線５に至る経路で電荷引き抜き電流ＩＨが流れ、電源電圧ＶＢによらず一定時間でＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量Ｃgdの放電が行われる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor structure for improving the problem generated by feed-through effect or by the coupling capacity(Cgd) being too large, by reducing the conjunction capacity(Dgd).例文帳に追加

接合容量（Ｃｇｄ）を減少し、フィードスルー効果、又は接合容量（Ｃｇｄ）が大き過ぎることで生じる問題を改善できる薄膜トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

To provide an array substrate for a liquid crystal display device in a new structure, which has improved numerical aperture, sufficient auxiliary capacity, high-speed operating characteristics, and small variations in Cgd.例文帳に追加

開口率向上と共に十分な補助容量確保、速い作動特性そしてＣ_ｇｄの変動量が少ない新しい構造の液晶表示装置用アレイ基板を提供する。 - 特許庁

Consequently, gate-drain overlapping capacitors Cgd in the boundary region BA is gradually modified and thereby differences in feedthrough voltage are decreased to suppress the shot mura phenomenon.例文帳に追加

これにより、境界領域ＢＡのゲート−ドレイン重複のコンデンサＣｇｄは、徐々に変化し、フィードスルー電圧の差を減少させて、ｓｈｏｔ ｍｕｒａ現象が抑制される。 - 特許庁