D-mosとは 意味・読み方・使い方

To provide a MOS transistor including a Schottky-S/D structure having small interface resistance Rc.例文帳に追加

界面抵抗Ｒｃが小さいＳｃｈｏｔｔｋｙ−Ｓ／Ｄ構造を含むＭＯＳトランジスタを提供すること。 - 特許庁

With respect to n-channel MOS transistors TN-A and TN-B and p-channel MOS transistors TP-A and TP-B comprising the level shift circuit, p-channel MOS transistors TP-C and TP-D comprising a current mirror circuit are formed at the drain of the p-channel MOS transistors TP-A and TP-B.例文帳に追加

レベルシフト回路を構成するＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ‐Ａ、ＴＮ‐ＢおよびＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ‐Ａ、ＴＰ‐Ｂにおいて、ＴＰ‐Ａ、ＴＰ‐Ｂのドレインにカレントミラー回路を構成するＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ‐ＣおよびＴＰ‐Ｄを構成する。 - 特許庁

The drain and the gate of a MOS transistor T1 are connected to the anode of a photo diode PD with a d-c voltage VPD applied to its cathode, and the drain and the gate of a MOS transistor T3 are connected to the source of the MOS transistor T1.例文帳に追加

カソードに直流電圧ＶPDが印加されたフォトダイオードＰＤのアノードにＭＯＳトランジスタＴ１のドレインとゲートを接続するとともに、このＭＯＳトランジスタＴ１のソースにＭＯＳトランジスタＴ３のドレインとゲートを接続する。 - 特許庁

A MOS transistor 36 as a switch element is connected between output terminals of first, second D/A converters 12, 13.例文帳に追加

第１，第２Ｄ／Ａ変換器１２，１３の出力端子の間に、スイッチ素子としてのＭＯＳトランジスタ３６を接続する。 - 特許庁

Power voltage for operation is supplied to the respective drain electrodes D of the pair of power MOS-FETs from a supply end of the power voltage for operation.例文帳に追加

動作用電源電圧の供給端からは１対のパワーＭＯＳ・ＦＥＴの各ドレイン電極を供給する。 - 特許庁

When MOS transistors in the same shape are arranged like a matrix, an inside MOS transistor is used as the constant current cell U, and MOS transistors arranged in the surroundings are used as dummy transistors D and MOS capacity C, the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of each dummy transistor D are connected to the same metal wire as that of a gate electrode of the constant current cell U.例文帳に追加

同一形状のＭＯＳトランジスタをマトリクス状に配置し、内側のＭＯＳトランジスタを定電流セルＵとして用い、周囲に配置されたＭＯＳトランジスタをダミートランジスタＤ及びＭＯＳ容量Ｃとして用いるときに、ダミートランジスタＤのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を、定電流セルＵのゲート電極と同じメタル配線に接続する。 - 特許庁

The source terminal S of the p-channel MOS transistor PT1 is connected to a node ND1, and the drain terminal D is made an ground terminal.例文帳に追加

ｐチャネルＭＯＳトランジスタＰＴ１のソース端子ＳがノードＮＤ１に接続され、そのドレイン端子Ｄが接地端子とされる。 - 特許庁

In the inverter, each arm A contains normally-on elements P and N-channel MOS transistors Q connected in series, built-in diodes D for the N-channel MOS transistors Q are used as free wheel diodes and the breakdown voltage of each N-channel MOS transistor Q is 10 to 50 V.例文帳に追加

このインバータでは、各アームＡは直列接続されたノーマリーオン素子ＰおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを含み、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの内蔵ダイオードＤはフリーホイールダイオードとして使用され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの耐圧は１０〜５０Ｖである。 - 特許庁