DDDとは 意味・読み方・使い方

ddd. ddd", whereddd is a decimal number of up to three digits in the range 0 to 255.発音を聞く 例文帳に追加

dddは 0 から 255 までの範囲の最大 3 桁の 10 進数である。 - JM

base specifier character S, followed by a single quote followed by digits DDD.発音を聞く 例文帳に追加

進数指定文字 S の次にシングルクォートがあり、数字 DDD が続く。 - JM

Format x as [-]d.dddE[+-]ddd with digs digits after the point and exactly one digit before.If発音を聞く 例文帳に追加

x を [-]d.dddE[+-]ddd の形にフォーマットします。 小数点の後ろに digs 桁と、小数点の前に1桁だけです。 - Python

Up to 800 tons of DDTR（as DDT, DDE, and DDD）are estimated to be distributed in the sediments of Huntsvill Spring Branch and Indian Creek from upstream of the plant discharge ditch to the confluence of Indian Creek with the Tennessee River.例文帳に追加

最高800トンのDDTR（DDT，DDEとDDDとして）が，Huntsvill Spring Branchと工場廃水溝の上流からIndian CreekとTennessee川の合流地点までのIndian Creekの沈降堆積物に分布していると推測される。 - 英語論文検索例文集

Up to 800 tons of DDTR（as DDT, DDE, and DDD）are estimated to be distributed in the sediments of Huntsvill Spring Branch and Indian Creek from upstream of the plant discharge ditch to the confluence of Indian Creek with the Tennessee River.例文帳に追加

最高800トンのDDTR（DDT，DDEとDDDとして）が，Huntsvill Spring Branchと工場廃水溝の上流からIndian CreekとTennessee川の合流地点までのIndian Creekの沈降堆積物に分布していると推測される。 - 英語論文検索例文集

Up to 800 tons of DDTR（as DDT, DDE, and DDD）are estimated to be distributed in the sediments of Huntsvill Spring Branch and Indian Creek from upstream of the plant discharge ditch to the confluence of Indian Creek with the Tennessee River.例文帳に追加

最高800トンのDDTR（DDT，DDEとDDDとして）が，Huntsvill Spring Branchと工場廃水溝の上流からIndian CreekとTennessee川の合流地点までのIndian Creekの沈降堆積物に分布していると推測される。 - 英語論文検索例文集

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁