EBSPとは 意味・読み方・使い方

To enhance life prediction precision and practical usability, when evaluating a breakage life, by inspecting a change in a surface texture of an evaluating object, using an EBSP method.例文帳に追加

ＥＢＳＰ法を用いて評価対象物の表面組織の変化を検査することで破壊寿命を評価する場合において、寿命予測精度及び実用性を向上する。 - 特許庁

On analysis by an EBSP method, the crystal structure in the foil thickness direction of the aluminum foil is based on a rolled structure containing fine crystal particles having a particle size of <10 μm as a matrix.例文帳に追加

アルミニウム箔の箔厚方向における結晶組織が、ＥＢＳＰ法で解析したとき、粒径１０μｍ未満の微細結晶粒を含む圧延加工組織を母体としている。 - 特許庁

The semiconductor device having a semiconductor film formed on a substrate using EBSP, undergoes a processing for reducing the thickness of the substrate by chemical mechanical grinding and a processing for exposing the surface of the semiconductor through removing the substrate reduced in thickness by etching, or removing the substrate and an insulation layer between the substrate and the semiconductor film.例文帳に追加

また、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向性を高め、そのような結晶質半導体膜を用いたＴＦＴを提供することを第二の目的とする。 - 特許庁

The electrolytic copper foil is produced such that after thermal treatment is applied to the electrolytic copper foil so that the LMP value shown in formula 1 is 9,000 or more, the crystal structure shows a red or blue color tone of 80% or more with respect to a plane with EBSP analysis.例文帳に追加

電解銅箔に式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がＥＢＳＰの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が８０％以上を占める電解銅箔。 - 特許庁

A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method).例文帳に追加

後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 - 特許庁

By irradiation of the surface of the exposed semiconductor film with electron beam, the crystal orientation is measured from the EBSP.例文帳に追加

ＥＰＳＰを用いて、基板上に形成された半導体膜を有する半導体装置に対し、当該基板を化学的機械研磨により薄板化する処理と、薄板化した当該基板をエッチングにより除去して、或いは、薄板化した当該基板と、当該基板と半導体膜の間の絶縁層とをエッチングにより除去して、前記半導体膜の表面を露出させる処理とを有し、露出した半導体膜の表面に電子線を照射して、ＥＢＳＰから結晶方位を測定することを特徴としている。 - 特許庁