Fe-dopedとは 意味・読み方・使い方

To provide means to highly accurately measure iron concentration of a boron doped p-type silicon wafer by using an Fe-B pair dissociation phenomenon.例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。 - 特許庁

A Fe-doped GaN layer 14 of a GaN substrate 1 comprises group III nitride semiconductor crystals with Fe atoms as transition metal atoms added, and Ga atom vacancy density is 1×10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

This quantitative analysis determination method of an analysis method is used for obtaining iron concentration in boron-doped p-type silicon using the change of measurement values before and after Fe-B pair separation.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｂペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。 - 特許庁

In order to reduce parasitic capacitance furthermore, a trench is formed in a current block layer formed of the high resistance Fe doped InP layer 28 and the n-type InP layer 29.例文帳に追加

また、より寄生容量を減らすことを目的として、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９により形成された電流ブロック層にはトレンチが形成されている。 - 特許庁

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction.例文帳に追加

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。 - 特許庁

The quantitative analysis limit is determined based on a quantitative value provided by obtaining iron concentration in the silicon by the analysis method during Fe-B pair separation in the boron-doped p-type silicon.例文帳に追加

上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a boron doped silicon wafer by simply measuring the breakdown voltage characteristics of its oxide film in which a decision can be made whether Fe contamination is present or not in the production process.例文帳に追加

ボロンドープウェーハの酸化膜耐圧特性を測定するだけで、そのウェーハの評価を行うことができ、特に製造プロセスにおけるＦｅ汚染の有無を判断することができる評価方法を提供する。 - 特許庁

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜２を形成する。 - 特許庁