Fermi surfaceとは 意味・読み方・使い方

Depending on position of the Fermi surface, the sign of the Hall coefficient varies.例文帳に追加

フェルミ面の位置によってホール係数の符合が変わる。 - 特許庁

On the basis of the vacuum level, (I) the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212 is greater than the Fermi level in the vicinity of the surface of the titanium dioxide layer 212, and (II) the Fermi level of the conductor 211 is greater than the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212.例文帳に追加

真空準位を基準として、（Ｉ）酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の表面近傍領域のフェルミ準位よりも大きく、かつ、（II）導電体２１１のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。 - 特許庁

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed.例文帳に追加

比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a (group Mn-V) co-added group IV magnetic semiconductor whose spin polarized carrier density near the Fermi surface can be increased, whose Curie temperature is high, and which is preferably applied as a basic material for spin electronics.例文帳に追加

フェルミ面付近のスピン偏極したキャリア密度を増加でき、キュリー温度が高く、スピンエレクトロニクスの基本材料に適用が好ましい（Ｍｎ−Ｖ族）共添加ＩＶ族磁性半導体を提供すること - 特許庁

Layers of a material having higher Fermi energy than that of a metal or magnesium oxide are laminated diagonally in a protection membrane, so that even if a surface of the protection membrane is removed due to long use, the material having higher Fermi energy than that of a metal or magnesium oxide is always exposed to outside to maintain the effect of discharge start voltage drop.例文帳に追加

保護膜中に、金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料の層を斜めに積層することにより、長時間使用により保護膜表面が削れても、金属もしくは酸化マグネシウムのフェルミエネルギーより高いフェルミエネルギーを持つ材料が常に表出するので、放電開始電圧低下の効果を維持できる。 - 特許庁

The state density has a characteristic as shown in Fig. 2, and it is seen from the 0-point (Fermi surface) of the horizontal axis that the state density is metallic in majority-spin and semiconductor-like and half-metallic in minority-spin.例文帳に追加

状態密度は図２に示すような特性となり、横軸の０点（フェルミ面）を見ると、ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは金属的、ｍｉｎｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは半導体的でありハーフメタルになっている。 - 特許庁