GHVとは 意味・読み方・使い方

In a silicon substrate 1, a gate insulating film 4b, a polycrystalline silicon film 5, an electrode insulating film 6, and a polycrystalline silicon film 7 are laminated, and then a gate electrode GHV is formed by etching.例文帳に追加

シリコン基板１にゲート絶縁膜４ｂ、多結晶シリコン膜５、電極間絶縁膜６、多結晶シリコン膜７を積層し、エッチングによりゲート電極ＧＨＶを形成する。 - 特許庁

After a spacer 10a is formed in the side wall of the gate electrode GHV, a silicon oxide film 11 and a silicon nitride film 12 are formed in the surface of the spacer 10a and the surface of the silicon substrate 1, and a silicone oxide film 13 is formed and made flat thereon.例文帳に追加

ゲート電極ＧＨＶの側壁にスペーサ１０ａを形成後、スペーサ１０ａの表面およびシリコン基板１の表面にシリコン酸化膜１１、シリコン窒化膜１２を形成し、この上にシリコン酸化膜１３を形成して平坦化する。 - 特許庁