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H ionsの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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H ionsとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「H ions」の意味

H ions

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「H ions」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 39



例文

Carbon dioxide (CO2) is made to react with deionized water (H2O) and forms H+ ions and HCO3- ions.例文帳に追加

二酸化カーボン(CO_2)は、脱イオン水(H_2O)と反応して、H^+イオンとHCO_3−イオンを形成する。 - 特許庁

To provide a solution in which H+ ions or OH- ions and oxidation- reduction substance coexist without adding pair ions by electrolyzing pure water.例文帳に追加

純水を電解して、対イオンを添加せずにH^+イオンまたはOH^-イオンと酸化還元物質が共存する液を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor ion sensor, an ion sensitive film 6 which catches H+ ions is formed on a gate oxide film 5.例文帳に追加

H^+イオンを捕獲するイオン感応膜6がゲート酸化膜5上に形成されている。 - 特許庁

The ion generating section 130 generates H^+(H_2O)_m as positive ions and O_2^-(H_2O)_n(m, n are optional integers) as negative ions.例文帳に追加

イオン発生部130は、正イオンとしてH^+(H_2O)_mと負イオンとしてO_2^−(H_2O)_n(m,nは任意の整数)とを発生させる。 - 特許庁

Then, ions are implanted into a hinge region H of the second hard mask 70, whereby an etching rate is changed.例文帳に追加

次に、第2ハードマスク70のヒンジ領域Hにイオン注入しエッチングレートを変化させる。 - 特許庁

The ion-generating parts 130 generate H^+(H_2O)_m (m is any integer) as positive ions and O_2^-(H_2O)_n (n is any integer) as negative ions.例文帳に追加

イオン発生部130は、正イオンとしてH^+(H_2O)_m(mは任意の整数)と負イオンとしてO_2^−(H_2O)_n(nは任意の整数)とを発生させる。 - 特許庁

例文

Reducing gas deviates, can discharge H^* radicals and H^+ ions, and is selected from tertiary butyl hydrazine, NH_3 and H_2, for example.例文帳に追加

還元性ガスは、乖離してH^*ラジカルや、H^+イオンを放出することができるガスであり、例えばターシャリーブチルヒドラジン、NH_3、H_2などから選ばれたガスである。 - 特許庁

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「H ions」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 39



例文

Since an outlined pair can be estimated as protonated ions (M+H)^+ and deprotonated ions (M-H)^- of the same compound, they are extracted as molecular-related ions and labelled to the peaks of the mass spectra, and the molecular weight of the target compound is estimated to identify the compound.例文帳に追加

概要するペアは同一化合物のプロトン付加イオン(M+H)^+とプロトン脱離イオン(M−H)^-であると推定できるから、これらを分子量関連イオンとして抽出し、マススペクトルの該当ピークにラベル表示するとともに、目的化合物の分子量を推定して該化合物の同定を実行する。 - 特許庁

Etching durability of a resist mask 6 patterned by lithography is increased by injecting H^+ ions into the resist mask 6.例文帳に追加

リソグラフィによりパターン形成されたレジストマスク6に、H^+ イオンを注入してレジストマスク6の耐エッチング性を高める。 - 特許庁

The frequency of the pulse is the one equal to or below the oscillation frequency of the ions in the plasma P, the pulse cycle T, pulse width (t) and pulse height (h) are controlled at a control part 62 in such a manner that the incidence of the ions is made optimum.例文帳に追加

パルスの周波数はプラズマP中のイオンの振動周波数以下であり、パルス周期T、パルス幅t、パルス高さhはイオン入射が最適化されるよう制御部62で制御される。 - 特許庁

Therefore, the H^+ ions can be added in high concentration in a shallow region of the semiconductor wafer as compared with a conventional ion implantation method.例文帳に追加

従って、従来のイオン注入法よりも半導体ウェーハの浅い領域にH^+イオンを高濃度に添加することができる。 - 特許庁

After various ions formed from an analysis target compound A are captured in an ion trap, CID to [M+H]^+ (while the ions dissociated from sialic acid are captured) is executed without performing mass sorting.例文帳に追加

分析対象の化合物Aから生成された各種イオンをイオントラップ内に捕捉した後に、質量選別を行うことなく(シアル酸が脱離したイオンを捕捉したまま)[M+H]^+に対するCIDを実行する。 - 特許庁

Surface creeping discharge is generated by applying an AC voltage to the discharge electrode 11 and the opposed electrode 12, then, plus ions H^+(H_2O)n and minus ions O_2^-(H_2O)n can be generated in a large quantity.例文帳に追加

放電電極11と対向電極12に交流電圧を印加することにより,沿面放電を生じさせ,プラスイオンH^+(H_2O)nとマイナスイオンO_2^−(H_2O)nを大量に発生させることができる。 - 特許庁

The air purifier 100 comprises an ion generator that generates positive ions H^+(H_2O)n (wherein n represents any integer including 0) and negative ions O_2^-(H_2O)m (wherein m represents any integer including 0), and has a function of inactivating or destroying viruses in the air by the ions.例文帳に追加

空気清浄機100は、プラスイオンH^+(H_2O)n(nは0を含む任意の整数)およびマイナスイオンO_2^−(H_2O)m(mは0を含む任意の整数)を発生するイオン発生装置を備え、イオンにより空気中のウイルスを不活性化もしくは死滅させる機能を有する。 - 特許庁

例文

After H ions and He ions are implanted into a silicon substrate with acceleration energy of 5-40 keV, temperature of the silicon substrate is raised to about 500°C and then O ions are implanted with acceleration energy of 30-180 keV thus forming an ion implantation layer 2.例文帳に追加

シリコン基板にHイオン又はHeイオンを、加速エネルギが5keV以上40keV未満で注入した後、該シリコン基板を略500℃に昇温し、それにOイオンを、加速エネルギが30keV以上180keV以下で注入し、イオン注入層2を形成する。 - 特許庁

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