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IGBT deviceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 IGBT素子
「IGBT device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 276件
STROBE CONTROL CIRCUIT AND IGBT DEVICE例文帳に追加
ストロボ制御回路およびＩＧＢＴデバイス - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND REVERSE CONDUCTING IGBT例文帳に追加
半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ - 特許庁
IGBT, AND POWER CONVERSION DEVICE USING SAME例文帳に追加
ＩＧＢＴとそれを用いた電力変換装置 - 特許庁
IGNITION DEVICE FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINE, SYSTEM AND IGBT例文帳に追加
内燃機関用点火装置，システムおよびＩＧＢＴ - 特許庁
To provide an IGBT capable of improving the efficiency of a trench IGBT device in various applications in a wide range.例文帳に追加
広範な種々のアプリケーションにおいて、トレンチＩＧＢＴデバイスの効率を改善すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a reverse conducting IGBT.例文帳に追加
半導体素子および逆導通ＩＧＢＴを提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which an IGBT and a control circuit of the IGBT and the like are formed on a trench-isolated SOI substrate and which achieves a high breakdown voltage of the IGBT and improves turn-off characteristic of the IGBT.例文帳に追加
トレンチ分離されたＳＯＩ基板にＩＧＢＴとその制御回路等が形成される半導体装置において、ＩＧＢＴの高耐圧化及びターンオフ特性の改善等が必要になる。 - 特許庁
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「IGBT device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 276件
This inverter control device is provided with the variable gate voltage of an IGBT at each IGBT of an inverter part, the variable gate resistance of the IGBT, and a gate drive control circuit for controlling it.例文帳に追加
本発明のインバータ制御装置はインバータ部分のそれぞれのＩＧＢＴにIGBTの可変ゲート電圧と、ＩＧＢＴの可変ゲート抵抗と、それを制御するゲート駆動制御回路を備えている。 - 特許庁
The IGBT device 10 is a thin substrate type high speed IGBT having the thickness of 50-200 μm is provided.例文帳に追加
ＩＧＢＴ素子１０は、基板厚さが５０μｍ−２００μｍの薄板基板型の高速ＩＧＢＴである。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, PN DIODE, IGBT AND THESE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
半導体装置、ＰＮダイオード、ＩＧＢＴ、及びそれらの製造方法 - 特許庁
To form a highly reliable semiconductor device by excellently fixing a lower IGBT to an upper IGBT by solder and firmly connecting the lower IGBT to a wire.例文帳に追加
下部ＩＧＢＴと上部ＩＧＢＴとを半田により良好に固着すると共に、下部ＩＧＢＴとワイヤとを強固に接続して、信頼性の高い半導体装置を形成する。 - 特許庁
MONOLITHIC INTEGRATED RESISTANCE STRUCTURE HAVING POWER IGBT DEVICE例文帳に追加
パワーＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：集積ゲートバイポーラトランジスター）デバイスを有するモノリシリック集積抵抗構造 - 特許庁
IGBT POWER DEVICE HAVING HIGH RESISTANCE TO REVERSE POWER PULSE例文帳に追加
逆方向電力パルスへの良好な抵抗を有するＩＧＢＴ電力デバイス - 特許庁
The IGBT 16 and the diode 2 are provided in the semiconductor device 101.例文帳に追加
半導体装置１０１内には、ＩＧＢＴ１６とダイオード２が設けられている。 - 特許庁
The power element device comprises an IGBT 53 with a mounting electrode board and a housing 5 accommodating the IGBT 53.例文帳に追加
パワー素子デバイスは、実装用電極板付ＩＧＢＴ５３と、その内部に実装用電極板付ＩＧＢＴ５３を収納する筐体からなる。 - 特許庁
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