IGBT elementとは 意味・読み方・使い方

The IGBT element 3 and diode element 4 are respectively provided with electrodes at the front and rear surfaces of these elements.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子３およびダイオード素子４は、表面と裏面にそれぞれ電極を備える。 - 特許庁

The gate voltage of the IGBT 2 is decreased by these diodes 31-33, thereby suppressing the current that flows to the IGBT 2, and element destruction of the IGBT can be prevented.例文帳に追加

これらのダイオード３１〜３３によりＩＧＢＴ２のゲート電圧を下げることでＩＧＢＴ２に流れる電流を抑え、その素子破壊を防止することができる。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises a diode element 10 and a switching element (IGBT) 20.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置では、ダイオード素子１０と、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）２０とを、備えている。 - 特許庁

For example, although a PDP sustain circuit requires a high element breakdown voltage, because the IGBT can reduce the voltage drop at the time of conduction with little dependence of the element breakdown voltage, the defect of the IGBT can be compensated by combining the sustain circuit with the AC-type PDP.例文帳に追加

例えば、素子耐圧が高いことが要求されるPDPのサステイン回路に、素子耐圧にあまり依存せずに導通時の電圧降下を小さくできるIGBTの欠点を、AC型PDPと組み合わせることで補うことができる。 - 特許庁

Due to this structure, the time when the FWD element is working and the time when the IGBT element is working are detected by the single temperature sensitive element 10.例文帳に追加

これにより、ＦＷＤ素子の動作時とＩＧＢＴ素子の動作時とを１つの感温素子１０で検出する。 - 特許庁

To reduce the snapback voltage of an IGBT element in an IGBT having freewheel diodes of inverse-parallel connection in the same chip.例文帳に追加

同一チップ内に逆並列接続した環流ダイオードを有するＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴ素子のスナップバック電圧を低減する。 - 特許庁

To provide an element structure that improves latch-up operation of a vertical power IGBT.例文帳に追加

縦型パワーＩＧＢＴのラッチアップ動作を改善する素子構造を提供する。 - 特許庁

When switching an IGBT element region 24 to on-state, a positive polar voltage is applied to at least the trench gate electrode group 6a of the IGBT element region 24.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子領域２４をオン状態に切換える際には、少なくともＩＧＢＴ素子領域２４のトレンチゲート電極群６ａに正極性の電圧を印加する。 - 特許庁