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InSbの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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InSbとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 インジウムアンチモニ

JST科学技術用語日英対訳辞書での「InSb」の意味

InSb

インジウムアンチモニ

「InSb」を含む例文一覧

該当件数 : 33



例文

InSb NANOPARTICLE例文帳に追加

InSbナノ粒子 - 特許庁

InSb THIN FILM SUBSTRATE例文帳に追加

InSb薄膜基板 - 特許庁

InSb NANO-FINE WIRE STRUCTURE例文帳に追加

InSbナノ細線構造 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING InSb THIN-FILM BOARD例文帳に追加

InSb薄膜基板の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR InSb THIN-FILM SUBSTRATE SUBSTRATE例文帳に追加

InSb薄膜基板の製造方法 - 特許庁

To provide independently dispersed InSb nanoparticles, a dispersion of the InSb nanoparticles, and a method for producing the InSb nanoparticles.例文帳に追加

本発明は、独立分散したInSbナノ粒子、InSbナノ粒子分散液、およびInSbナノ粒子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

例文

The InSb nano-fine wire structure is grown in a self-forming manner at a temperature close to the melting point of InSb by doping InSb with atoms of an impurity metal.例文帳に追加

InSbがに不純物金属原子を入り込ませることでInSbの融点近傍温度で自己形成成長したInSbナノ細線構造とする。 - 特許庁

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「InSb」を含む例文一覧

該当件数 : 33



例文

InSb THIN FILM SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

InSb薄膜基板、InSb薄膜基板の製造方法 - 特許庁

The active layer 4 is the Sb-based semiconductor thin film formed of any one kind or two kinds or more of GaSb, AlGaSb, AlSb, InGaSb and InSb, and has a quantum well structure.例文帳に追加

前記活性層4が、GaSb,AlGaSb,AlSb,InGaSb,及びInSbのうちいずれか1種又は2種以上で形成されるSb系半導体薄膜であり、量子井戸構造を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming an InSb film having a high hole moving degree.例文帳に追加

高いホール移動度を有するInSb膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an InSb film capable of obtaining a high hole moving degree.例文帳に追加

高いホール移動度が得られるInSb膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR USING COMPOUND SEMICONDUCTOR InSb SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体InSb単結晶を用いた半導体放射線検出器 - 特許庁

To make it possible to make compatible an increase in the mobility of InSb layers in a compound semiconductor multilayer thin film, which is used for a magnetic sensor or the like, with an increase in the resistance of the InSb layers.例文帳に追加

磁気センサ等に用いられる化合物半導体多層薄膜におけるInSb層の高移動度化と高抵抗化とを両立させること可能にする。 - 特許庁

The preferable thickness of the InAs layer or the InSb layer is 3 nm to 10 nm.例文帳に追加

InAs層又はInSb層の好ましい厚みは3nmから10nmである。 - 特許庁

例文

To obtain an InSb thin film substrate which has high sensitivity and reliability and is applicable to a magnetoelectric transducer.例文帳に追加

磁電変換素子に応用できる高感度で信頼性の高いInSb薄膜基板を得る。 - 特許庁

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