K-Arとは 意味・読み方・使い方

Argon(Ar) gas of room temperature is blown between an anode A and a cathode K in a tundish 101, and a temperature of atmosphere between the anode A and the cathode K is decreased.例文帳に追加

タンディッシュ１０１内のアノードＡ・カソードＫ間に室温のアルゴン（Ａｒ）ガスを吹き込んで、アノードＡ・カソードＫ間の雰囲気温度を低下させる。 - 特許庁

In the formula (III), Ar denotes substituted or non-substituted allyl group, or substituted or non-substituted heterocyclic group, T denotes single bonding or bivalent connection group, (p) denotes an integer of 1 to 10, J denotes -COOM or -SO_3M and M denotes H, Li, Na or K.例文帳に追加

式（III）中、Ａｒは置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基を表し、Ｔは単結合又は２価の連結基を表わし、ｐは１〜１０の整数を表し、Ｊは−ＣＯＯＭ又は−ＳＯ_3Ｍを表し、ＭはＨ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫを表す。 - 特許庁

The impurity is removed by subjecting a solution state obtained by dissolving the aryl(di)ethynylbenzoic acid and/or the salt thereof, represented by general formula (1) [wherein, Ar is an aromatic hydrocarbon group; n is 1 or 2; and M is H, Li, Na or K] in water and/or a protic solvent to an absorbent treatment.例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるアリール（ジ）エチニル安息香酸及び／又はその塩〔Ａｒ：芳香族炭化水素基；ｎ＝１〜２、Ｍ：Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ〕を、水及び／又はプロトン性溶媒に溶解した溶液状態において吸着剤処理し、不純物を除去する。 - 特許庁

In the formula, Y is a group represented by -SO- or -SO_2-; Z is a bivalent electron-releasing group or direct binding; Ar is an aromatic group having a substitutional group represented by -SO_3H; m is an integer of 0-10; n is an integer of 0-10; and k is an integer of 1-4.例文帳に追加

（式中、Ｙは−ＳＯ−または−ＳＯ_2−で表される基を示し、Ｚは２価の電子供与性基または直接結合を示し、Ａｒは−ＳＯ_3Ｈで表される置換基を有する芳香族基を示し、ｍは０〜１０の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示し、ｋは１〜４の整数を示す。） - 特許庁

In the formulae, Ar expresses a substituted or non-substituted univalent polynuclear aromatic ring or the like having 3 to 10 aromatic ring numbers, X expresses a substituted or non-substituted bivalent aromatic group, T expresses a bivalent straight-chain hydrocarbon group or the like having 1 to 6 carbon numbers, m expresses integers of 1 to 3 and k expresses 0 or 1.例文帳に追加

式中、Ａｒは、置換もしくは未置換の芳香環数３〜１０の１価の多核芳香環等を表し、Ｘは、置換又は未置換の２価の芳香族基を表し、Ｔは、炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基等を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｋは０又は１を表す。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加

高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁