| 意味 | 例文 |
K-Arの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
Argon(Ar) gas of room temperature is blown between an anode A and a cathode K in a tundish 101, and a temperature of atmosphere between the anode A and the cathode K is decreased.例文帳に追加
タンディッシュ101内のアノードA・カソードK間に室温のアルゴン(Ar)ガスを吹き込んで、アノードA・カソードK間の雰囲気温度を低下させる。 - 特許庁
In the formula (III), Ar denotes substituted or non-substituted allyl group, or substituted or non-substituted heterocyclic group, T denotes single bonding or bivalent connection group, (p) denotes an integer of 1 to 10, J denotes -COOM or -SO_3M and M denotes H, Li, Na or K.例文帳に追加
式(III)中、Arは置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基を表し、Tは単結合又は2価の連結基を表わし、pは1〜10の整数を表し、Jは−COOM又は−SO_3Mを表し、MはH、Li、Na又はKを表す。 - 特許庁
The impurity is removed by subjecting a solution state obtained by dissolving the aryl(di)ethynylbenzoic acid and/or the salt thereof, represented by general formula (1) [wherein, Ar is an aromatic hydrocarbon group; n is 1 or 2; and M is H, Li, Na or K] in water and/or a protic solvent to an absorbent treatment.例文帳に追加
下記一般式(1)で表されるアリール(ジ)エチニル安息香酸及び/又はその塩〔Ar:芳香族炭化水素基;n=1〜2、M:H、Li、Na、K〕を、水及び/又はプロトン性溶媒に溶解した溶液状態において吸着剤処理し、不純物を除去する。 - 特許庁
In the formula, Y is a group represented by -SO- or -SO_2-; Z is a bivalent electron-releasing group or direct binding; Ar is an aromatic group having a substitutional group represented by -SO_3H; m is an integer of 0-10; n is an integer of 0-10; and k is an integer of 1-4.例文帳に追加
(式中、Yは−SO−または−SO_2−で表される基を示し、Zは2価の電子供与性基または直接結合を示し、Arは−SO_3Hで表される置換基を有する芳香族基を示し、mは0〜10の整数を示し、nは0〜10の整数を示し、kは1〜4の整数を示す。) - 特許庁
In the formulae, Ar expresses a substituted or non-substituted univalent polynuclear aromatic ring or the like having 3 to 10 aromatic ring numbers, X expresses a substituted or non-substituted bivalent aromatic group, T expresses a bivalent straight-chain hydrocarbon group or the like having 1 to 6 carbon numbers, m expresses integers of 1 to 3 and k expresses 0 or 1.例文帳に追加
式中、Arは、置換もしくは未置換の芳香環数3〜10の1価の多核芳香環等を表し、Xは、置換又は未置換の2価の芳香族基を表し、Tは、炭素数1〜6の2価の直鎖状炭化水素基等を表し、mは1〜3の整数を表し、kは0又は1を表す。 - 特許庁
The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加
高誘電率(k)の誘電体14および界面層12を含む積層体を基板10の表面上に設けるステップと、Heによって希釈された炭素(C)源およびArを含む雰囲気において、Tiターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にTiC膜16を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|