MODFETとは 意味・読み方・使い方

This MODFET design includes the high-mobility conduction channel.例文帳に追加

このＭＯＤＦＥＴ設計は、高移動度伝導チャネル層を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate, an outer connection terminal 5 formed on the substrate, a MODFET 1 connected to the outer connection terminal 5, and a plurality of MIM capacitors 2, 3 connected in series between the MODFET 1 and the outer connection terminal 5.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された外部接続端子５と、外部接続端子５に接続されたMODFET１と、MODFET１と外部接続端子５との間に直列に接続された複数のＭＩＭキャパシタ２、３とを設ける。 - 特許庁

A threshold value of these MODFET is set at a value being higher than reference voltage 0V and being a threshold value of a write-in state or less.例文帳に追加

これらのＭＯＳＦＥＴのしきい値は、基準電圧０Ｖより高く、上記メモリセルの書き込み状態のしきい値以下に設定される。 - 特許庁

Further, the present invention includes the above and an improvement of other FET devices, for example a drain and a source of protrusion shapes, a multi-facet gate-on insulator, and a MODFET (modulation dope FET).例文帳に追加

さらに、このことおよび他のＦＥＴデバイスの改良例えば、隆起状ソース／ドレインおよびマルチファセット・ゲート・オン・インシュレータ、ＭＯＤＦＥＴが開示される。 - 特許庁

To provide a high-mobility semiconductor layer and a structure of a MODFET (modulation-doped field-effect transistor) which include a high-mobility conduction channel and simultaneously maintain a counter dope to reduce a harmful short channel effect.例文帳に追加

高移動度伝導チャネルを含み、それと同時にカウンタ・ドープを維持して有害な短チャネル効果を抑制する高移動度の半導体層およびＭＯＤＦＥＴ（変調ドープ電界効果トランジスタ）の構造およびその形成方法を提供すること。 - 特許庁

To constitue accurately a semiconductor device, having at least two FETs having different threshold voltages and also realize improved reliability thereof, even when at least one of the FETs is constituted of a MODFET.例文帳に追加

互いにしきい値電圧を異にする少なくとも２つのＦＥＴを有する半導体装置を高精度に構成することができ、更に、そのＦＥＴの少なくとも１つをＭＯＤＦＥＴによって構成する場合においても、信頼性の向上を図ることができるようにする。 - 特許庁