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MP6とは 意味・読み方・使い方
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「MP6」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
Respective evaluating patterns MP1-MP6 are grounded while locally superposed areas are formed on all of the evaluating patterns MP1-MP6.例文帳に追加
各評価用パターンMP1〜MP6は接地されており、評価用パターンMP1〜MP6の全てが部分的に重なる領域が形成されている。 - 特許庁
A current mirror circuit is comprised of a PMOS transistor MP6 and a PMOS transistor MP7.例文帳に追加
PMOSトランジスタMP6とPMOSトランジスタMP7とでカレントミラー回路を構成する。 - 特許庁
Otherwise, a capacitor element C3 is connected between the drain of the transistor MP5 and the drain of the transistor MP6.例文帳に追加
或いは、トランジスタMP5のドレインとトランジスタMP6のドレインとの間に容量C3を接続する。 - 特許庁
Evaluating patterns MP1-MP6 for evaluating an etching time are arranged on one part of an IC (semiconductor integrated circuit) 10.例文帳に追加
IC(半導体集積回路)10の一部にエッチング時間の評価用パターンMP1〜MP6を配設する。 - 特許庁
A reference voltage, i.e., the voltage of a signal to be compared is applied to the gates of the first and third PMOS transistors MP3, MP6 and the first and third NMOS transistors MN4, MN7.例文帳に追加
第1、第3のPMOSトランジスタMP3、MP6、第1、第3のNMOSトランジスタMN4、MN7のゲートには、基準電圧、比較対象となる信号の電圧が印加される。 - 特許庁
In this operational amplifier having the gain booster stage, capacitor elements C1 and C2 are connected between the respective drains of transistors MP5 and MP6 that operate as the gain booster stage and a power source VSS, respectively.例文帳に追加
ゲインブースト段を有する演算増幅器において、ゲインブースト段として働くトランジスタMP5,MP6の各ドレインと電源VSSとの間にそれぞれ容量C1,C2を接続する。 - 特許庁
A first gradation voltage selection circuit 143 in a D/A converter controls transistors Mp1 to Mp6 of a first group on the basis of first display data (D2, D1) and selects a required gradation voltage of first polarity.例文帳に追加
D/Aコンバータにおける第一の階調電圧選択回路143は、第一の表示データ(D2,D1)に基づいて、第一群のトランジスタMp1〜Mp6を制御し、第一極性の所望の階調電圧を選択する。 - 特許庁
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「MP6」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
Between a drain of the PMOS transistor MP6 and a VSS power supply line 2m, there are connected a basic current generation circuit 12 and selective current generation circuits 14-17 selectively connected in parallel to the basic current generation circuit 12.例文帳に追加
PMOSトランジスタMP6のドレインとVSS電源線2との間に、基本電流生成回路12と、選択により基本電流生成回路12に並列接続される選択電流生成回路14〜17とを接続する。 - 特許庁
The number of selective current generation circuits connected in parallel to the basic current generation circuit 12 is controlled, thereby varying the dynamic range and the inclination of a current I3 flowing to the NMOS transistor MP6 and a current I4 flowing to the PMOS transistor MP7.例文帳に追加
基本電流生成回路12に並列接続させる選択電流生成回路の数を制御することにより、NMOSトランジスタMP6に流れる電流I3及びPMOSトランジスタMP7に流れる電流I4のダイナミックレンジ及びその傾きを変化させる。 - 特許庁
Respective evaluating patterns MP1-MP6 are arranged respectively on wiring layers L1-L6 being the same as metallic circuits arranged in an insulating film 2 with a stepped form so that the evaluating pattern, formed at a deeper position from the upper surface of the IC 10, is formed so as to be longer in the direction of plane.例文帳に追加
各評価用パターンMP1〜MP6は絶縁膜2中に配設されたメタル配線と同じ配線層L1〜L6にそれぞれ配設され、階段状に、IC10上表面から深い評価用パターンほど平面方向に長く形成されている。 - 特許庁
By short-circuiting the first gradation voltage signal line and the second gradation voltage signal line when a test signal is turned on, a test switch circuit 24 can measure a leak current between the drain and source of a specific transistor out of the transistors Mp1 to Mp6 of the first group or the transistors Mn1 to Mn6 of the second group.例文帳に追加
テストスイッチ回路24は、テスト信号がオンになったときに、第一の階調電圧信号線と、第二の階調電圧信号線とを短絡させることによって、第一群のトランジスタMp1〜Mp6、若しくは、第二群のトランジスタMn1〜Mn6における特定のトランジスタについて、そのドレイン−ソース間のリーク電流を測定することを可能とする。 - 特許庁
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