n seとは 意味・読み方・使い方

Zn, Se or O is used for a target metallic element and N, Cl or the like is used for the dopant.例文帳に追加

対象金属元素として、Ｚｎ、及びＳｅ又はＯを対象とし、ドーパントとしてＮ、Ｃｌなどを用いる。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加

好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも１種以上を含有する化合物を、下記（１）式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁

This sensitizer is a heterocyclic compound represented by formula I [X1 is C(R5, R6), NR7, O, S or Se; Y1 is N or N(+)-R8; and A1 is H or an organic group].例文帳に追加

一般式Ｉ ［Ｘ^1はＣ(Ｒ^5,Ｒ^6)、ＮＲ^7、Ｏ、ＳまたはＳｅを示し；Ｙ^1はＮまたはＮ^(+)−Ｒ^8を示し、Ａ^1はＨまたは有機基を示す］の複素環式化合物。 - 特許庁

The compounds are described by the formula (II) (wherein M is Rh or Ir; X is halogen; Y is O, S or Se; R is an aromatic hydrocarbon; and a, b and n are each an integer).例文帳に追加

化合物は（式中、Ｍ：Ｒh,Ir、Ｘ：ハロゲン、Ｙ：Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｒ：芳香族炭化水素、およびａ，ｂ，ｎ：整数をあらわす。） - 特許庁

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

When an N-type conductive layer 2 is grown on a semiconductor substrate 1 through an MOVPE method, a mixture of Si2H6 and H2Se as N-type dopant is fed to enable Si and Se to reside in the N-type conductive layer.例文帳に追加

半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によってｎ型導電性層２を成長させる場合に、ｎ型ドーパントとしてＳｉ_2Ｈ_6およびＨ_2Ｓｅを供給してｎ型導電性層中にＳｉおよびＳｅを存在させる。 - 特許庁

In addition, the phase change alloy contains one element selected from Al, C, N, Se, and Sn.例文帳に追加

（３）相変化合金が、更にＡｌ、Ｃ、Ｎ、Ｓｅ、Ｓｎの中から選ばれる一つの元素を含有する（１）又は（２）記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁