n-gnとは 意味・読み方・使い方

Among anodes 11-mn placed in a matrix, anodes 12-m2, 14-m4, 1(n-1)-m(n-1) are arranged corresponding to control electrodes G0-Gn in a mesh, anodes 11-m1, 13-m3, 1n-mn are arranged corresponding to a plurality of adjacent control electrodes G0-Gn.例文帳に追加

マトリクス状に配設された陽極１１〜ｍｎのうち、陽極１２〜ｍ２、１４〜ｍ４、（１ｎー１）〜（ｍｎー１）はメッシュ状制御電極Ｇ０〜Ｇｎに対応して配設され又、陽極１１〜ｍ１、１３〜ｍ３、１ｎ〜ｍｎは隣接する複数の前記制御電極Ｇ０〜Ｇｎに対応して配設されている。 - 特許庁

The power supply VSS is connected to a source of an N-type MOS transistor Q6, the node GN is connected to its gate, and the input of the inverter INV is connected to its drain.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ６のソースに電源ＶＳＳを、ゲートにノードＧＮを、ドレインにインバータＩＮＶの入力を接続する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element comprising an active layer between an n type nitride semiconductor and a p type nitride semiconductor, the n type nitride semiconductor has an n type multilayer film layer obtained by laminating an n type contact layer made of an AlgGa1-gN (0≤g≤0.2), a GaN layer and an InpGa1-pN (0<p<1) layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、ｎ型窒化物半導体は、ＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０≦ｇ≦０．２）からなるｎ型コンタクト層と、ＧａＮ層とＩｎ_pＧａ_1-pＮ（０＜ｐ＜１）層とが積層されてなるｎ型多層膜層とを含む。 - 特許庁

A plurality of shielded cables 1 to N have shields (earth parts) E1 to EN, respectively, all connected with each other via connection wires F1 to FN-1, and G1 to GN-1.例文帳に追加

複数のシールドケーブル、例えばＮ本のシールドケーブル１〜Ｎからなり、それぞれのシールドケーブル１〜Ｎは、シールド（アース部）Ｅ_1〜Ｅ_Nを接続線Ｆ_1〜Ｆ_N<SB>ー</SB><SB>1</SB>，Ｇ_1〜Ｇ_N<SB>ー</SB><SB>1</SB>により全て接続されている。 - 特許庁

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。 - 特許庁

Based on the calculate coefficients g1, ..., gn and constant term g0, an optimum solution of W is calculated, and the arithmetic expression N with this optimum solution set therein is derived as an optimum calculation model for the sample data.例文帳に追加

また、算出した係数ｇ１，…，ｇｎ及び定数項ｇ０に基づき、Ｗの最適解を算出し、この最適解を設定してなる演算式Ｎを、サンプルデータに最適な計算モデルとして導出する。 - 特許庁

A PMOS transistor QP is provided with a gate electrode GP, and an n-type well 31 faced through a gate insulating film 5 and an NMOS transistor QN is provided with a gate electrode GN and a p-type well 32 faced through the gate insulating film 5 to this.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＱＰはゲート電極ＧＰ及びこれとゲート絶縁膜５を介して対峙するＮ型ウェル３１を、ＮＭＯＳトランジスタＱＮはゲート電極ＧＮ及びこれとゲート絶縁膜５を介して対峙するＰ型ウェル３２を、それぞれ有している。 - 特許庁

In the game system, a winning decision part 3 of a central management device 1 decides the winning for the player who satisfies a prescribed winning condition among the plurality of players operating a plurality of game terminal machines belonging to n pieces of terminal machine groups G1-Gn and participating in a game.例文帳に追加

中央管理装置１の当選判定部３は、ｎ個の端末機グループＧ１〜Ｇｎに属してゲームに参加している複数のゲーム端末機を操作する複数の遊技者のうち、所定の当選条件を満たした遊技者に対して当選の判定を行う。 - 特許庁