nm Sとは 意味・読み方・使い方

Sputtering particles are made to fly from a helicon sputtering source 52 by setting a film deposition rate of a gold thin film 12 to the range from 0.01 nm/s to 0.6 nm/s.例文帳に追加

金薄膜１２の成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓ以上、０．６ｎｍ／ｓ以下の範囲に設定し、ヘリコンスパッタ源５２からスパッタ粒子を飛翔させる。 - 特許庁

In am embodiment, the S band is in a range of 1510 to 1525 nm, the M band is in a range of 1525 to 1565 nm and the L band is in a range of 1565 to 1610 nm.例文帳に追加

実施例では、Ｓバンドは１５１０ｎｍ〜１５２５ｎｍ、Ｍバンドは１５２５ｎｍ〜１５６５ｎｍ、Ｌバンドは１５６５ｎｍ〜１６１０ｎｍの範囲である。 - 特許庁

The S/O formulation for percutaneous drug delivery comprises: a drug; and a gold nanorod having an absorption band in the region of 650 to 2,000 (preferably, of 680 to 1,200 nm, more preferably, of 700 to 900 nm).例文帳に追加

薬物と、650〜2000nm（好ましくは680〜1200nm、より好ましくは700〜900nm）の領域に吸収帯を有する金ナノロッドとを含む、経皮薬物送達用S/O製剤を提供する。 - 特許庁

The method for inducing the shoots of the plant is characterized by culturing the cells, organs or tissues of a plant under light quality conditions comprising the light wavelengths of blue light of 420 to 500 nm, green light of 500 to 570 nm, or red light of 590 to 700 nm and a light intensity of 2 to 50 μmol/m^2/s.例文帳に追加

植物の細胞、器官又は組織を、420〜500nmの青色光、500〜570nmの緑色光又は590〜700nmの赤色光の光波長と2〜50μmol/m^2/sの光強度とから成る光質条件下で培養する。 - 特許庁

The light having a peak wavelength of 400-550 nm includes the one having LED as a light sauce, and photon flux density is preferably 15-200 μmol m^-2 s^-1.例文帳に追加

ピーク波長４００〜５５０nmの光は、LEDを光源とする光であって、光量子束密度が１５〜２００μmol・ｍ^-2・s^-1であることが好ましい。 - 特許庁

In addition, the design film thickness of the oxide semiconductor film is set to 30 nm±15 nm, thus optimizing field effect mobility μ, On/Off ratio and S value.例文帳に追加

また、酸化物半導体膜の設計膜厚を３０ｎｍ±１５ｎｍにすることにより、電界効果移動度μ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、Ｓ値を最適化する。 - 特許庁

Typically, the composition formula is represented by Gd3-sEusSCtGa5-tO12 (with the proviso that s and t satisfy the equations 0<s<3 and 1.8<t<2.2), and the lattice constant can be freely adjusted by changing the composition within the range of 1.256-1.262 nm.例文帳に追加

典型的には、組成式はＧｄ_3-s Ｅｕ_s Ｓｃ_t Ｇａ_5-t Ｏ_12（但し、０＜ｓ＜３，１．８＜ｔ＜２．２）で示され、組成を変えることで格子定数を１．２５６nm〜１．２６２nmの範囲で自由に調整可能である。 - 特許庁

The surface roughness of the positive electrode 20's surface in contact with the planarized layer 30 is 0.5 nm or more.例文帳に追加

そして、陽極２０は、その平坦化層３０と接する表面の表面粗さが０．５ｎｍ以上である。 - 特許庁