| 意味 | 例文 (299件) |
oxide isolationとは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
意味・対訳 酸化膜分離
「oxide isolation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 299件
A nitride containing isolation liner reduces the isolation of boron in a channel region as compared with an oxide-containing isolation liner essentially without nitrogen.例文帳に追加
窒化物含有分離ライナーは、本質的に窒素の無い酸化物含有分離ライナーに比べて、チャネル領域内でのホウ素の分離を減らす。 - 特許庁
A silicon oxide film 24 is buried inside the isolation groove 3.例文帳に追加
素子分離溝３の内部には、酸化シリコン膜２４が埋め込まれている。 - 特許庁
The element isolation area is a lamination structure comprised of the LOCOS oxide film.例文帳に追加
素子分離領域は、ＬＯＣＯＳ酸化膜の積層構造よりなる。 - 特許庁
Next, an element isolation oxide film is formed over the whole surface, and then the element isolation oxide film is planarization-etched to expose the pad nitride film pattern, thereby forming an element isolation film.例文帳に追加
その後、全体表面に素子分離用酸化膜を形成し、パッド窒化膜パターンが露出するように素子分離用酸化膜を平坦化エッチングすることにより素子分離膜が形成される。 - 特許庁
In the element isolation region 142, the height of the embedded oxide film 13 is lower than the one in the element isolation region 141.例文帳に追加
素子分離領域１４２は、素子分離領域１４１よりも埋め込まれる酸化膜１３の高さが低い。 - 特許庁
F(fluorine) is added to an oxide film 22 (silicon oxide film) for forming a isolation region as an impurity.例文帳に追加
素子分離領域を形成する酸化膜（シリコン酸化膜）２２に不純物としてＦ（フッ素）を添加する。 - 特許庁
To provide a method of forming an isolation region for a semiconductor device, which is capable of preventing a recess from being produced at the upper edge of an isolation oxide film so as to improve the isolation region in element isolation characteristics.例文帳に追加
本発明は、隔離酸化膜上部エッジに発生するリセスを防止して素子隔離特性を改善させた半導体素子の隔離領域形成方法を提供する。 - 特許庁
-
履歴機能過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断診断回数が
増える! -
マイ単語帳便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳文章で
単語を理解! -
「oxide isolation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 299件
After forming an element isolation oxide film 118, a CMP is conducted with a silicon nitride film 118 as a stopper and the element isolation oxide film 118 is planarized.例文帳に追加
素子分離酸化膜１１８を形成後、シリコン窒化膜１１８をストッパとしてＣＭＰ処理を実行して素子分離酸化膜１１８を平坦化する。 - 特許庁
Subsequently, thickness of the isolation oxide film 33 is measured and the isolation oxide film 33 is etched based on the measurement under conditions determined in feed forward manner.例文帳に追加
分離酸化膜３３の膜厚を測定し、その測定値に基づいてフィードフォワード的に決定された条件で分離酸化膜３３をエッチングする。 - 特許庁
STRAINED-SILICON CHANNEL CMOS WITH SACRIFICIAL SHALLOW TRENCH ISOLATION OXIDE LINER例文帳に追加
犠牲シャロートレンチアイソレーション酸化物ライナーを有する歪みシリコンチャネルＣＭＯＳ - 特許庁
METHOD FOR PROTECTING SEMICONDUCTOR SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) OXIDE FROM ETCHING例文帳に追加
半導体シャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）酸化物をエッチングから保護する方法 - 特許庁
An nMOS (n-channel metal oxide semiconductor) transistor 103 is provided inside the trench isolation region, and a control circuit is provided within the RESURF isolation region but outside of the trench isolation region.例文帳に追加
ｎＭＯＳトランジスタ１０３はトレンチ分離領域内に、制御回路はＲＥＳＵＲＦ分離領域内であってトレンチ分離領域外にそれぞれ設けられている。 - 特許庁
WALL OXIDE FILM FORMING METHOD AND ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及び素子分離膜形成方法 - 特許庁
A trench isolation oxide film 3 is formed in a groove formed at the silicon substrate 2.例文帳に追加
シリコン基板２に形成された溝にトレンチ分離酸化膜３が形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device excelling in surface flatness by improving uniformity of a polishing speed in polishing an isolation oxide film by a CMP method, in a semiconductor device using a trench type isolation oxide film for element isolation.例文帳に追加
素子分離にトレンチ型分離酸化膜を用いた半導体装置において分離酸化膜をＣＭＰ法で研磨する際の研磨速度の均一性を向上して表面平坦性の良好な半導体装置を得る。 - 特許庁
|
| 意味 | 例文 (299件) |
|
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
「oxide isolation」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|