oxide-layer formationとは 意味・読み方・使い方

The oxide superconducting thin film layer is formed on the intermediate layer for oxide superconducting thin film layer formation.例文帳に追加

前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層の上に形成されている酸化物超電導薄膜層。 - 特許庁

RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMATION OF OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM LAYER, OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM LAYER, AND OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE MATERIAL例文帳に追加

酸化物超電導薄膜層形成用の原料溶液、酸化物超電導薄膜層および酸化物超電導薄膜線材 - 特許庁

INTERMEDIATE LAYER FORMATION METHOD FOR TAPE-LIKE OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE例文帳に追加

テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

Since the inner layer oxide film 26 hinders formation of the outer layer oxide film, even if the catalyst carrying apparatus 20 is installed after that in high temperature steam atmosphere, formation of the outer layer oxide film is hindered.例文帳に追加

内層酸化膜２６は、外層酸化膜の形成を阻害するから、その後触媒担持装置２０が高温の水蒸気雰囲気下に配置されても外層酸化膜の形成は阻害される。 - 特許庁

In a bottom-gate structure thin film transistor, an oxide insulating layer as a channel protecting layer is formed on part of an oxide semiconductor layer superimposed on a gate electrode layer, and during the formation of the oxide insulating layer, an oxide insulating layer for covering a peripheral portion (including a side surface) of the oxide semiconductor layer is formed.例文帳に追加

ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF OXIDE LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT INCLUDING THE SAME例文帳に追加

酸化物層の形成方法及びそれを含む半導体素子の製造方法 - 特許庁

The dual-depth buried oxide layer facilitates the formation of an asymmetrical semiconductor structure.例文帳に追加

デュアル・デプス埋め込み酸化物層は、非対称半導体構造を容易にする。 - 特許庁