occupation layerとは 意味・読み方・使い方

To provide an electric double-layer capacitor in which contact between a collector electrode and a polarizable electrode is improved and occupation area of the polarizable electrode per collector electrode volume is consequently increased.例文帳に追加

集電極と分極性電極の密着性が向上し、集電極体積当りの分極性電極の占有する体積が向上する電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

The problem is solved by providing the organic device wherein the positive electrode 2 is chemically bonded to the dipole molecule layer 3, and the dipole molecule layer 3 satisfies μ/εA>0.20, where ε is a dielectric constant of the dipole molecule layer; A is the average occupation area per molecule constituting the dipole molecule layer; and μ is a dipole moment per molecule constituting the dipole molecule layer.例文帳に追加

陽極２と双極子分子層３は化学結合し、かつ、双極子分子層３がμ／εＡ＞０．２０（εは双極子分子層の誘電率、Aは双極子分子層を構成する１分子あたりの平均占有面積、μは双極子分子層を構成する１分子あたりの双極子モーメントを表す。）を満足する有機デバイスを提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A plurality of openings 15 is formed in the resin layer 4a, the area of the each opening 15 is 0.2 to 1.13 mm2, and the area occupation rate of the openings 15 is 40 to 70%.例文帳に追加

前記樹脂層４ａには複数の開孔１５が形成され、各開孔１５の開孔面積は０．２〜１．１３ｍｍ^2とされ、前記開孔１５による面積占有率は４０〜７０％とされている。 - 特許庁

Then, the system analysis support device determines an object of batch processing based on the occupancy of an occupation period of the immediately upper layer protocol to the tabulation period T and the appearance rate of each object.例文帳に追加

そして、システム分析支援装置は、集計期間Ｔに対する直上層のプロトコルの占有期間の占有率と、オブジェクトごとの出現率とに基づいて、バッチ処理のオブジェクトを判断する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus capable of selectively turning a prescribed region on a resistance layer to silicide by a simple process and reducing the occupation area of resistance.例文帳に追加

簡易なプロセスで抵抗層上の所定領域を選択的にサリサイド化することができ、かつ、抵抗の占有面積を小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The relationship between a polysilicon occupation factor of an occupied area ratio on a semiconductor substrate by a polysilicon film operated as a mask layer and a sidewall width (a width of a sidewall insulating film retained at the sidewall of a wiring) for a plurality of types of LSIs is previously obtained.例文帳に追加

複数品種のＬＳＩについて予め、マスク層としてはたらくポリシリコン膜が半導体基板上に占める面積割合であるポリシリコン占有率とサイドウォール幅（配線の側壁に残す側壁絶縁膜の膜幅）との関係を求める。 - 特許庁

To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁

Refractive indexes of the lower clad layer 12 and the photonic crystal period structure 21 are different from each other, and an occupation rate that is a rate occupied by a low refractive index material in a crystal lattice is large for both of secondary diffraction efficiency and primary diffraction efficiency.例文帳に追加

下部クラッド層１２とフォトニック結晶周期構造体２１の屈折率が異なっており、結晶格子における低屈折率材料が占める割合である占有率が、２次回折効率及び１次回折効率ともに大きい占有率である。 - 特許庁