p geとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 プロスタグランジンE
「p ge」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.例文帳に追加
半金属としてはＣ，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ等が例示される。 - 特許庁
The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加
ゲート電極１５，２５はｐ型ＳｉＧｅまたはｐ型Ｇｅにより構成されている。 - 特許庁
The long-term use in the atmosphere is realized by the slight combined Ge and P for the purpose of oxidation prevention in the solder bath.例文帳に追加
はんだ浴中のはんだの酸化防止のためGeとPを併用した微量添加で大気中での長期間の使用を可能にする。 - 特許庁
Furthermore, 0.001-0.5 wt% of an oxidation control element such as P, Ge and Ga and/or 0.005-2 wt% of a wettability improving element such as Ag may be added.例文帳に追加
さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で添加してもよい。 - 特許庁
The gate electrode GE is formed on the p-type gack gate region BG.例文帳に追加
ゲート電極ＧＥは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ上に形成されている。 - 特許庁
Toyo Seiko’s highly durable projection media has received widespread recognition, including quality certification from Boeing, GE, P&W and other leading aircraft companies.発音を聞く 例文帳に追加
耐久性の高い同社の投射材は、ボーイング、GE、P&W等の大手航空機関連メーカー各社から品質認定を受けるなど、幅広く評価されている。 - 経済産業省
In the Sn-Cu based lead-free soldering alloy containing 0.1-3 mass% Cu, 0.001-0.1 mass% P is added either alone or together with 0.001-0.1 mass% Ge.例文帳に追加
Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「p ge」の意味 |
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pge
| mouse | 遺伝子名 | pge |
| 同義語（エイリアス） | phosphoglyceromutase expression | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:18653 | |
| その他のDBのID | MGI:97554 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「p ge」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.例文帳に追加
Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁
In the soldering method, P of 0.001-0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001-0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1-3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加
Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加
はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁
The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加
本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁
In the soldering method, P of 0.001 to 0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001 to 0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1 to 3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加
Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加
軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁
Further, Ge, P or Ga is incorporated therein, so that the oxidation resistance of the solder can be improved.例文帳に追加
さらに、Ｇｅ、Ｐ又はＧａを含有させることによって、はんだの耐酸化特性を向上させることができる。 - 特許庁
Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
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