p-3cとは 意味・読み方・使い方

The p^+-type gate semiconductor 4 is provided on the first to the third regions 3a to 3c of the n-type drift semiconductor 3.例文帳に追加

ｐ^＋型ゲート半導体部４は、ｎ型ドリフト半導体部３の第１〜第３の領域３ａ〜３ｃ上に設けられている。 - 特許庁

The drape 1 has six opening parts 3a, 3b, 3c, 3d, 3e and 3f to expose part of the body surface of a patient P when the body of the patient P is covered with the drape.例文帳に追加

ドレープ１には、患者Ｐの身体を覆った使用状態で、患者Ｐの体表の一部を露出する６つ開口部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅおよび３ｆが形成されている。 - 特許庁

A density of a toner image obtained by visualizing a latent image written by each of the LPHs 3a-3c is detected by each of the P sensors 11a-11c.例文帳に追加

そして、各Ｐセンサ１１ａ〜ｃにより、各ＬＰＨ３ａ〜ｃで書き込んだ潜像を可視化したトナー像の濃度を検出する。 - 特許庁

Problems are solved by pyridinethiol sulfonates represented by general formula (1) (wherein, R is a 1-3C alkyl group, a phenyl group, a benzyl group or a p-tolyl group).例文帳に追加

一般式（１）（式中ＲはＣ１〜３のアルキル基、フェニル基、ベンジル基またはｐ−トリル基である。）で示されるピリジンチオールスルホナート類が、前記課題を解決した。 - 特許庁

In the seat cushion 3, the side supports 3R, 3L supporting the thighs from the sides are provided on both sides of a central part 3C to be a seating part P.例文帳に追加

シートクッション３は、着座部Ｐとなる中央部３Ｃの両側に大腿部を側方から支持することのできるサイドサポート部３Ｒ，３Ｌが設けられている。 - 特許庁

A laminate structure is formed in which a p-3C-SiC layer 102 is formed on a p-Si substrate 101, and an i-GaN layer (channel layer) 103 and an n-AlGaN layer (barrier layer) 104 are formed on it.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ基板１０１上にｐ−３Ｃ−ＳｉＣ層１０２が形成された積層構造が形成され、その上にｉ−ＧａＮ層（チャネル層）１０３、ｎ−ＡｌＧａＮ層（バリア層）１０４が形成されている。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type semiconductor layer 2 comprising an n-type GaN layer is laminated, then first, second, and third active layers 3a, 3b, and 3c of InGa1-xN are sequentially laminated, and a p-type semiconductor layer 4 comprising a p-type GaN layer is laminated on the third active layer 3c.例文帳に追加

基板１上にｎ形ＧａＮ層よりなるｎ形半導体層２が積層され、続いてＩｎＧａ_1-XＮよりなる第１の活性層３ａ、第２の活性層３ｂ，第３の活性層３ｃが順次積層され、第３の活性層３ｃ上にｐ形ＧａＮ層よりなるｐ形半導体層４が積層されている。 - 特許庁

A magnetic field generated from the loop antennas 3C and 3D passes a card movement plane P (including an extension plane in front of the insertion port 32) of the magnetic card 2 in front of the insertion port 32, and is parallel to the card movement plane P.例文帳に追加

ループアンテナ３Ｃ，３Ｄから発生する磁界は、挿入口３２の前方において磁気カード２のカード移動平面Ｐ（挿入口３２の前方の延長平面も含む）を通り、カード移動平面Ｐに平行である。 - 特許庁