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p-type Siとは 意味・読み方・使い方
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「p-type Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 181件
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加
p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁
By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.例文帳に追加
これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁
A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加
p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁
Therefore, the resistivity of the p-type layer is reduced to 40-90%, as compared with the case where the p-type layer does not substantially contain Si.例文帳に追加
これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁
A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加
単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁
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「p-type Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 181件
The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁
The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加
ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁
The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加
Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁
A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加
μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加
Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料 - 特許庁
An n-type poly-Si resistor 7 and a p-type poly-Si resistor 8 in which the ratio of their height to their width is at one or higher are formed at the beam 15.例文帳に追加
梁１５には、高さ／幅が１以上のｎ型およびｐ型ポリＳｉ抵抗７，８が形成される。 - 特許庁
The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加
本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁
The analog circuit is further provided with a deep n-type well provided in the bottom surface side of the p-type Si substrate 101 nearer than the p-type well 107, and is constituted to separate the bottom surface side of the p-type well 107 and the p-type Si substrate 101.例文帳に追加
アナログ回路は、ｐ型ウェル１０７よりもｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側に設けられており、ｐ型ウェル１０７およびｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側を隔離するように構成されている、ディープｎ型ウェルを備える。 - 特許庁
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