proton accelerationとは 意味・読み方・使い方

A semiconductor device manufacturing method includes a step of irradiating a proton several times from either one of main surfaces of a p-type wafer 15 while changing acceleration energy, forming proton injection regions 24 with different depths so as to be linked from the one main surface to the other main surface, and then forming an n-type isolation layer 25 by donating the proton injection regions 24 via heat treatment.例文帳に追加

ｐ型ウエハ１５のいずれか一方の主面からプロトンを複数回、加速エネルギーを変えて照射し、深さの異なるプロトン注入領域２４を、前記一方の主面から他方の主面にかけて繋がるように形成し、その後、熱処理によりドナー化することによりｎ型分離層２５を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

In the energy beam machining device X to machine a work 7 by allowing the work 7 to be irradiated with proton beams L1 (energy beams), an energy converting means 10 to convert the energy of the proton beams L1 is provided on the optical path of the proton beams 1 between an energy beam generation source consisting of an ion generation source 1 and an ion acceleration apparatus 2 and the work 7.例文帳に追加

被加工物７にプロトンビームＬ１（エネルギービーム）を照射させて該被加工物７を加工するエネルギービーム加工装置Ｘにおいて，イオン発生源１及びイオン加速装置２からなるエネルギービームの発生源と上記被加工物７との間の上記プロトンビーム１の光路上に，上記プロトンビームＬ１の持つエネルギーを変更させるエネルギー変更手段１０を設ける。 - 特許庁

This electrolyte membrane for an alcohol type fuel cell is characterized by being formed by irradiating a proton-conductive membrane with an electron beam having an acceleration voltage of 5-45 KV in presence of an atmospheric gas at pressure in the range of 1-750 Torr and containing oxygen of a concentration of 500-10,000 ppm.例文帳に追加

プロトン伝導性膜に、加速電圧が５ＫＶ以上４５ＫＶ以下の電子線を、圧力が１〜７５０Ｔｏｒｒの範囲で、かつ酸素濃度が５００〜１００００ｐｐｍを含む雰囲気ガスの存在下で照射したものであることを特徴とする。 - 特許庁