projection photolithographyとは 意味・読み方・使い方

To suppress the capital investment of a photolithography step by simultaneously using a reduction projection aligner and a nano imprint device to reduce the cost price of a semiconductor device.例文帳に追加

縮小投影露光装置とナノインプリント装置の混合使用によりホトリソグラフィ工程の設備投資を抑制し、半導体装置の原価の低減を図ることが課題である。 - 特許庁

The liquid immersion photolithography system includes an exposure system that exposes a substrate 101 with electromagnetic radiation, and also includes a projection optical system 100 that focuses the electromagnetic radiation on the substrate, and a liquid supply system for providing liquid between the projection optical system 100 and the substrate 101, and the projection optical system is positioned below the substrate.例文帳に追加

基板１０１を電磁放射で露光しかつ電磁放射を基板上に集束させる投影光学系１００を有する露光系と、投影光学系１００と基板１０１との間に液体を提供する液体供給系とが設けられており、投影光学系が基板の下方に位置決めされている。 - 特許庁

To provide a data creation method for an electron beam projection photolithography machine that reduces a processing time by reducing a data capacity, and improves the physical strength of a mask.例文帳に追加

データ容量を小さくして処理時間の短縮化を図るとともに、マスクの物理的強度を向上させることのできる電子ビーム投影露光装置用のデータ作成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter for a liquid crystal display device by which an orientation control projection Mv and two kinds of photospacers Ps-1, Ps-2 are simultaneously and simply formed by one process of a photolithography method using one kind of photopolymers.例文帳に追加

１種の感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィ法の１工程で配向制御突起Ｍｖ及び２種のフォトスペーサーＰｓ−１、２を同時に簡便に形成する液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type photomask blank which has an absorption film reduced in thickness so as to reduce projection effect causing a phenomenon of deterioration in transfer precision due to EUV light, and is used for EUV photolithography, a reflection type photomask, and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ＥＵＶ光による転写精度の劣化現象をもたらす、射影効果の低減を図るために、吸収膜の厚さの低減化を図り、ＥＵＶフォトリソグラフィにて使用される反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The projection exposure device 11 has a mercury lamp 13 generating an illuminating light 31 required for an exposure to form a pattern on a wafer 12 by photolithography technology, and a reticle 22 having a pattern image for forming a pattern on a wafer 12.例文帳に追加

投影露光装置１１は、フォトリソグラフィ技術を用いてウエハ１２上にパターンを形成するべく、露光に必要な照明光３１を発生させる水銀ランプ１３と、ウエハ１２にパターンを形成するためのパターン像を有するレチクル２２と、レチクル２２に照射する１ショットの露光領域を制御する液晶ブラインド１９と、ウエハ１２を載置固定するステージ２５とを有する。 - 特許庁

The data creation method for an electron beam projection photolithography machine is characterized by including a process of creating flat data by expanding the pattern data of a hierarchized mask, a process of performing profiling that extracts the profile line of the pattern on the flat data, and a process of extracting cells in which polygons have the same patterns and hierarchizing the cells.例文帳に追加

電子ビーム投影露光装置用のデータ作成方法において、階層化されたマスクのパターンデータを展開してフラットなデータを作成する工程と、このフラットなデータについてパターンの輪郭線を抽出する輪郭化処理を行う工程と、このフラットなデータから同一の形状のポリゴンを有するセルを抽出して階層化する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method which reduces a projection amount Δh of horn-shaped projections in a color part occurring in a part overlapping a black matrix, in a state of not exerting adverse effects on liquid crystal alignment when the black matrix is high, with respect to a color filter manufacturing method which forms the color part made of a color photosensitive resin composition through photolithography.例文帳に追加

フォトリソグラフィによって該着色感光性樹脂組成物よりなる着色部を形成するカラーフィルタの製造方法において、ブラックマトリクスの高さが高い場合に、該ブラックマトリクスと重なっている部分に発生する着色部の角状突起の突起量Δｈを低減し、液晶配向に悪影響がない状態とする方法を提供することを課題とする。 - 特許庁