projection sとは 意味・読み方・使い方

Thus, impact force applied from the card is received by the projection(s).例文帳に追加

こうして、カードから加わる衝撃力を突起により受けるようにした。 - 特許庁

The projection surface S is arranged at the predetermined position of an XYZ three-dimensional coordinate system.例文帳に追加

投影面ＳをＸＹＺ三次元座標系の所定位置に配置する。 - 特許庁

The slave projector S is constituted to acquire the projection data from the master projector M and to carry out projection by a projector 44 in accordance with the acquired projection data.例文帳に追加

スレーブプロジェクタＳは、マスタプロジェクタＭから投影データを取得し、取得した投影データに基づいて投影器４４による投影を行うようになっている。 - 特許庁

For example, the projection data s(α_di, β_di, γ_di) is multiplied by the weighting coefficient.例文帳に追加

例えば、投影データs(α_di,β_di,γ_di)に乗算する加重係数ω_di＝（ΔＺ_ci＋ΔＺ_offset）／[（ΔＺ_di＋ΔＺ_offset）＋（ΔＺ_ci＋ΔＺ_offset）]。 - 特許庁

An imaging data processing part 24 derives the inclination of the projector 1 to a projection surface S on the basis of a result (picked-up image) obtained by imaging the projection surface S by an imaging part 23.例文帳に追加

撮像データ処理部２４は、撮像部２３で投写面Ｓを撮像した結果（撮像画像）に基づいて、投写面Ｓに対するプロジェクタ１の傾斜を導出する。 - 特許庁

200 μm≥H≥50 μm, L≥100 μm, S≥40%, H: height of the projection part, L: (the outer periphery of the semiconductor element)-(the outer periphery of the projection part) and S: a ratio of the area of the upper face of the projection part to the area of the lower face of the semiconductor element).例文帳に追加

２００μｍ≧Ｈ≧５０μｍ Ｌ≧１００μｍ Ｓ≧４０％ Ｈ：凸部の高さ Ｌ：（半導体素子の外周）−（凸部の外周） Ｓ：半導体素子の下面面積に対する凸部の上面面積の比率 - 特許庁

The projection part 3 has a shape that is tapered from the boundary surface S toward the distal end 32.例文帳に追加

突起部３は、境界面Ｓから先端３２に向けて先細る形状を有している。 - 特許庁

It is preferable that the average diameter of the solid particles used for the projection is 10 to 300 μm, the projection speed is 30 to 300 m/s and the projection density is 0.2 to 40 kg/m^2.例文帳に追加

投射する固体粒子は、平均粒子径が１０〜３００μｍ、投射速度が３０〜３００ｍ／ｓ、投射密度が０．２〜４０ｋｇ／ｍ^2であることが好ましい。 - 特許庁