region control blockとは 意味・読み方・使い方

After the discharge of well region is finished, the control gate line is returned to the grounding potential, then the data erasing operation of block is finished.例文帳に追加

そして、ウェル領域の放電が終わった後にコントロールゲート線を接地電位に戻しブロックのデータ消去動作を終了する。 - 特許庁

A write-protect control circuit stores a starting block address and an ending block address in the write region of the non-volatile memory array and selectively activates the write enable signal, in accordance with whether an external address has escaped from the write address region between the starting and ending block addresses.例文帳に追加

書き込み防止制御回路は、不揮発性メモリアレイの書き込み領域の始まりブロックアドレスと終了ブロックアドレスを貯蔵し、外部アドレスが始まりブロックアドレスと終了ブロックアドレスとの間の書き込みアドレス領域を脱したか否かに従って、書き込みイネーブル信号を選択的に活性化させる。 - 特許庁

The ECU 32 is fixed to the solenoid block 31 by a screw 35 arranged within a region at the inside by an external shape of the control board 33.例文帳に追加

そして、制御基板３３の外形より内側の領域内に配置されるねじ３５によって、ＥＣＵ３２がソレノイドブロック３１に固定される。 - 特許庁

Power lines VDD, VSS, VSSM are provided to surround a circuit block RUSR and a region RPWR arranging these power lines therein is utilized to dispose the power supply control circuit.例文帳に追加

回路ブロックRUSRを周回するように電源線VDD,VSS,VSSMを設け、これら電源線が配置される領域RPWRを利用して電源制御回路を配置する。 - 特許庁

RAM 206 of a control circuit part 202 is provided with a replacing state table 209 storing a state flag for every block unit and a retreat area 210, copies an OS region block in the retreat area 210 by read/write request of a data region block, and rewrite the flag state of the block replacing state table 209, or a target of relocation.例文帳に追加

制御回路部２０２のＲＡＭ２０６がさらにブロック単位毎の状態フラグを記憶している入れ替え状態テーブル２０９と退避エリア２１０を備え、データ領域ブロックの読み出し書き込み要求によりＯＳ領域ブロックを退避エリア２１０にコピーするとともに再配置の対象となるブロックの入れ替え状態テーブル２０９のフラグ状態を書き換える。 - 特許庁

The testing system includes a functional block 31 for monitoring the fluctuations in the power supply voltage, in the internal region of the semiconductor device, and a control timing adjusting function for adjusting the control timing of a load current-correcting means 15, based on the fluctuation monitored by the block.例文帳に追加

半導体装置内部領域の電源電圧変動をモニタするための機能ブロック３１と、機能ブロックによりモニタした電源電圧変動に基づいて負荷電流補正手段１５を制御するタイミングを調整する制御タイミング調整機能とを有する。 - 特許庁

In the memory control device, a logical address (log) assigned to a physical block and a physical address (next_p) of the physical block to which the logical address (log+1) next to the logical address (log) is assigned are stored in a redundant region of the page 1 in each physical block in a flash EEPROM 12.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ１２内の各物理ブロック内のページ１の冗長領域には、当該物理ブロックに割り当てられた論理アドレス（ｌｏｇ）と、当該論理アドレス（ｌｏｇ）の次の論理アドレス（ｌｏｇ＋１）が割り当てられている物理ブロックの物理アドレス（ｎｅｘｔ＿ｐ）とが格納されている。 - 特許庁

The rate control part 113 sets a region where a re-quantized parameter of the DCT coefficient is over one time and under two times of the quantized parameter of an input stream to be an inhibition region, inhibits that the quantized parameter becomes over one time and under two times and preferentially allocates the quantized parameter of one time to a macro block of high edge strength on the macro block belonging to the inhibition region.例文帳に追加

レート制御部113は、DCT係数の再量子化パラメータが入力ストリームの量子化パラメータの１倍超２倍未満である領域を禁止領域とし、再量子化パラメータが１倍超２倍未満になることを禁止し、禁止領域に属するマクロブロックについては、エッジ強度の高いマクロブロックに、１倍の再量子化パラメータを優先的に割り当てる。 - 特許庁