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sputter ion sourceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 スパッタイオン源
「sputter ion source」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
PLASMA SPUTTER TYPE MULTI-TARGET NEGATIVE ION SOURCE例文帳に追加
プラズマスパッタ型マルチターゲット負イオン源 - 特許庁
To switch a plurality of ion species while maintaining a vacuum condition of a chamber 1 in a plasma sputter type negative ion source.例文帳に追加
プラズマスパッタ型負イオン源において、チャンバ1の真空状態を維持したまま、複数のイオン種を切り替える。 - 特許庁
An ion source 2 projects a beam 2a (for instance, Argon (Ar) ion beam) to a target material 3 to sputter the target material 3.例文帳に追加
イオン源2は、ターゲット材3に向けてイオンビーム2a(例えば、アルゴン(Ar)イオンビーム)を照射し、ターゲット材3をスパッタする。 - 特許庁
Ion beams B generated from an ion beam source 3 are radiated toward a sputter target 2 to generate film deposition particles toward a substrate W.例文帳に追加
イオンビーム源3から発生されたイオンビームBをスパッタターゲット2に向かって放射し、基板Wに向かって成膜粒子を発生させる。 - 特許庁
Because a sputter particle 11 is made to be the constituting material (W, Ga) of the Ga liquid metal ion source 2-1, there does not occur contamination that changes physical property of Ga9 even if the sputter particle 11 is adhered to the Ga liquid metal ion source 2-1.例文帳に追加
スパッタ粒子11がGa液体金属イオン源2−1の構成材(W,Ga)となるようにすることにより、スパッタ粒子11がGa液体金属イオン源2−1に付着した場合でもGa9の物性を変えるような汚染が生じない。 - 特許庁
By making a sputter particle 11 to be a constituent material (W, Ga) of the Ga liquid metal ion source 2-1, even if the sputter particle 11 is attached onto the Ga liquid metal ion source 2-1, contamination which makes physical properties of the Ga9 change is not generated.例文帳に追加
スパッタ粒子11がGa液体金属イオン源2−1の構成材(W,Ga)となるようにすることにより、スパッタ粒子11がGa液体金属イオン源2−1に付着した場合でもGa9の物性を変えるような汚染が生じない。 - 特許庁
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「sputter ion source」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
Ions contained in the plasma generated from the sputter source of HIPIMS are subjected to TOF mass spectroscopy, and distribution of ion generation is detected.例文帳に追加
HIPIMSのスパッタ源で発生したプラズマに含まれるイオンをTOF質量分析にかけて、イオンの生成分布を検出する。 - 特許庁
To prevent generation of gas molecules and sputter particles generated by impact of other gas ions except sputtered metal ions on the inner wall of a wave guide in an ion accelerator equipped with a sputter type ion source and a mass separation mechanism to reduce the mixing of impurities on the downstream side.例文帳に追加
スパッタ型イオン源と質量分離機構を備えたイオン加速器において、スパッタさせた金属イオン以外のガスイオンがウェーブガイドの内壁に衝突することにより発生するガス分子やスパッタ粒子の発生を抑制して下流側での不純物の混人を低滅できるようにする。 - 特許庁
In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6.例文帳に追加
気密チャンバ1中にプラズマ13を発生させ、該プラズマ13によりスパッタターゲット6をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ1内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット6が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット6の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ13中の正イオンを誘導する。 - 特許庁
For the ion accelerator equipped with a sputter type ion source and a mass separation mechanism and adapted to implant metal ions in a target to be irradiated, a layer of active metals such as Ti+Ta is provided on the inner wall of a wave guide of the mass separation mechanism.例文帳に追加
スパッタ型イオン源と質量分離機構を備え、金属イオンを被照射体に注入するようにしたイオン加速器において、質量分離機構のウェーブガイドの内壁にTi+Ta等の活性な金属層を設けたことを特徴とする。 - 特許庁
The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas.例文帳に追加
ECRスパッタ装置1は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板10に照射するECRスパッタ源2と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板10に照射するイオンビーム源3を備える。 - 特許庁
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