spin state changeとは 意味・読み方・使い方

To change a detection level detecting an unbalanced state of laundry in a rotary drum and execute a spin-drying operation according to a setting status in a spin-drying operation.例文帳に追加

回転ドラム内の洗濯物のアンバランス状態を検知する検知レベルを変更し、脱水運転時は、設定状態に応じた脱水運転を行う。 - 特許庁

In a method of reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

In the method for reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

With this configuration, the electronic element is obtained which controls the characteristics of the functional material through the spin state change of the spin crossover complex by changing the external field, for example, the temperature.例文帳に追加

本構成によれば、例えば、温度などの外場を変えることによってスピンクロスオーバー錯体のスピン状態変化を介して機能性材料の特性を制御する電子素子が得られる。 - 特許庁

To provide an electronic element etc., which is operative in principle to control characteristics of a functional material through spin state change of a spin crossover complex by changing an external field, for example, temperature etc.例文帳に追加

例えば、温度などの外場を変えることによってスピンクロスオーバー錯体のスピン状態変化を介して機能性材料の特性を制御するという新しい原理の電子素子などを提供する。 - 特許庁

This crystal material is characterized in that the crystal material changes the spin state and the color tone by photoirradiation but the change depends on intensity of irradiating light nonlinearly.例文帳に追加

光照射によりスピン状態と色調が変化する結晶材料であって、該変化は照射光の強度に非線形に依存することを特徴とする結晶材料とする。 - 特許庁

To provide a resistance change memory device which uses a spin transfer effect which reduces the transition probability into a quasi-stable state, and achieves the stable flux reversal over a wide range of an injection current to write in data.例文帳に追加

準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する、スピントランスファ効果を利用してデータの書き込みを行う抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁