sr-nとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 国家公認看護婦
「sr-n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 37件
The 1st-(M+N)th SR blocks BLK_1-BLK_M+N hold the 1st-(M+N)th gradation data masking-controlled on the basis of data enable signals shifted in the respective SR blocks.例文帳に追加
第1〜第(M+N)のSRブロックBLK_1〜BLK_M+Nは、各SRブロックにおいてシフトされるデータイネーブル信号に基づきマスク制御される第1〜第(M+N)の階調データを保持する。 - 特許庁
The n^+ source region SR is formed on a principal surface 12 in the p-type back gate region BG.例文帳に追加
n^+ソース領域SRは、p型バックゲート領域BG内の主表面12に形成されている。 - 特許庁
The activation rate (a) is defined by 'the concentration of the activated n-type impurities obtained by SR analysis/the concentration of the n-type impurities obtained by SIMS analysis'.例文帳に追加
活性化率aは(SR分析にて得られた活性化したn型不純物の濃度)/(SIMS分析にて得られたn型不純物の濃度)で定義される。 - 特許庁
The n-type drain region DR is formed on the principal surface 12 opposite the n^+ source region SR with the p-type back gate region GB interposed.例文帳に追加
n型ドレイン領域DRは、p型バックゲート領域BGを挟んでn^+ソース領域SRと対向するように主表面12に形成されている。 - 特許庁
To easily manufacture a capacitor having single-crystal SrRuO3/single- crystal (Ba, Sr) TiO3/single-crystal SrRuO3 structure which is connected to an n+ source diffusion layer through a plug electrode of Ru.例文帳に追加
Ruからなるプラグ電極を介してn^+ 型ソース拡散層と接続する、単結晶SrRuO_3 /単結晶(Ba,Sr)TiO_3 /単結晶SrRuO_3 構造のキャパシタを容易に製造できる製造方法を実現すること。 - 特許庁
The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加
半導体装置100は、半導体基板SBと、n^-エピタキシャル層EPと、p型バックゲート領域BGと、n^+ソース領域SRと、n型ドレイン領域DRと、ゲート電極GEと、n型高濃度領域HRとを備えている。 - 特許庁
The gas discharge device has a phosphor layer containing a phosphor represented by the formula: n(Ba_X, M_1-X)O-7Al_2O_3:Mn (wherein M is one or more elements selected from Zn, Mg, Sr, and Ca; 0<n≤1; and 0≤x≤1).例文帳に追加
n(Ba_X,M_1-X)O・7Al_2O_3:Mn (MはZn,Mg,Sr,Caから選ばれた1種以上の元素) (0<n≦1、0≦x≦1)で表される蛍光体を含む蛍光体層を有するガス放電装置。 - 特許庁
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srn
terns
wrens
ハジロオオシギ
taipans
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a rope
waratahs
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to speak with a provincial accent
「sr-n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 37件
This phosphor comprises a compound represented by mMO.nAl2 O3(M is one more metal elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba; and the ration of m/n is 0.5≤m/n≤1) as a matrix material.例文帳に追加
mMO・nAl_2O_3(MはMg,Ca,Sr,Baからなる群から選ばれる一つ以上の金属元素)で表され、mとnの比が0.5≦m/n≦1である化合物を母体材料とする。 - 特許庁
The wear resistant trolley wire has a composition comprising, by mass, 0.2 to 0.5% Sn, and at least one kind selected from Ag, In, Sr, Ca and Mg by 0.0005 to 0.3% in total, and the balance Cu with inevitable impurities, and has a tensile strength of ≥430 N/mm^2.例文帳に追加
Snが0.2〜0.5質量%含有され、Ag、In、Sr、Ca、Mgから選択される少なくとも一種が総量で0.0005〜0.3質量%含有されて、残部がCuと不可避不純物で構成され、引張強さが430N/mm^2以上である。 - 特許庁
In a sound search device, when an object ob-i is displayed in a display region of a display section 17, a CPU 22 writes a search condition SC-n of the sound material related to the object ob-n and its search result SR-n in a RAM 23.例文帳に追加
CPU22は、表示部17の表示領域内にオブジェクトob−iが表示されると、そのオブジェクトob−nに対応させる音素材の検索条件SC−nとその検索結果SR−nをRAM23に書き込む。 - 特許庁
The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.例文帳に追加
n型高濃度領域HRは、n^-エピタキシャル層EPよりも高いn型不純物濃度を有し、p型バックゲート領域BGとn型ドレイン領域DRとの間に位置し、かつp型バックゲート領域BGとn^+ソース領域SRとのpn接合部よりも主表面12から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁
Sr includes LiAO_n as a basic composition (n represents a positive number, A contains Ni and Mg without containing Sr) and preferably is contained by the number of moles becoming ≥0.0005 to ≤0.1 when the entire number of moles for elements of A site is defined as 1.例文帳に追加
また、Srは、基本組成をLiAO_n(nは正の数、AはNi及びMgを含み且つSrを含まず)としAサイトの元素の全体のモル数を1としたときに、0.0005以上0.1以下となるモル数で含有されていることが好ましい。 - 特許庁
The input rectangular signal SSQ including an odd number-order harmonic in the center of the reference frequency is inputted to a demodulator 3 together with the first signal SR (N×f) outputted by an N (N is a natural number equal to or more than 2) times frequency of a carrier frequency (f) from a signal output portion 2.例文帳に追加
基本周波数に奇数次高調波を中心に含んだ入力矩形信号SSQは、信号出力部2からキャリア周波数(f)のN倍(Nは2以上の自然数)周波数で出力される第1信号SR(N×f)と共に復号部3に入力される。 - 特許庁
The element A in composition formula (2) is at least one of magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr) and barium (Ba); and m, x, z and n in composition formula (2) satisfy 3<m<5, 0<x<1, 0<z<9, 0<n<10.例文帳に追加
ただし、組成式(2)中の元素Aは、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、またはバリウム(Ba)の少なくとも1つであり、組成式(2)中のm、x、z、nは、3<m<5、0<x<1、0<z<9、0<n<10なる関係を満たす。 - 特許庁
Noise removal circuits 7 adjust amplitudes and phases φ1-φ4 of the divided noise signals N1-N4 to the same amplitude as the noise signal N and the opposite phase to the noise signal N in respective divided bands F1-F4 before adding them to a received signal Sr.例文帳に追加
ノイズ除去回路7は、それぞれの分割帯域F1〜F4でノイズ信号Nと振幅が同じでノイズ信号Nと逆位相になるように、分配ノイズ信号N1〜N4の振幅と位相φ1〜φ4を調整し、受信信号Srに加算する。 - 特許庁
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