stripping solutionとは 意味・読み方・使い方

To provide a reproducing method of stripping solution which allows the stripping solution of resist resin used in the manufacture of semiconductor substrate reusable.例文帳に追加

半導体基板の製造において使用されたレジスト樹脂の剥離液を再使用可能にし得る、剥離液の再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for removing a silicon-containing film, conventionally removable only by dry stripping, by a stripping process with a stripping solution (wet stripping).例文帳に追加

本発明は、ドライ剥離でないと除去することができなかったケイ素含有膜を、剥離液による剥離（以後、ウェット剥）工程で除去できるようにする工程を提供することにある。 - 特許庁

PHOTORESIST STRIPPING SOLUTION COMPOSITION FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, INCLUDING PRIMARY ALKANOL AMINE例文帳に追加

１級アルカノールアミンを含むＬＣＤ製造用フォトレジスト剥離液組成物 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition facilitating control of a developing solution or a stripping solution and having excellent dispersibility in a developing solution.例文帳に追加

現像液、剥離液の管理が容易であり、さらに優れた現像液分散性を備えた感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

This reproducing method of stripping solution comprises plural treating processes which treat the used stripping solution containing a resin component and a water component which are generated in the stripping process of the resist resin laminated on the substrate.例文帳に追加

この剥離液の再生方法は、基板に重ねたレジスト樹脂の剥離工程で生ずる、樹脂成分及び水成分を含む使用済の剥離液を処理する複数の処理工程よりなる。 - 特許庁

To reduce the production of powder caused by a stripping liquid when stripping a polyimide film on the surface of a substrate from the substrate by means of the stripping liquid containing an inorganic alkaline water solution.例文帳に追加

無機アルカリ水溶液を含む剥離液を用いて、基板表面のポリイミド薄膜を基板から剥離する際に、剥離液に起因する粉末の生成を低減する。 - 特許庁

When the temperature of a stripping solution in a low temperature stripping solution treatment tank 10 is regulated to be at the melting point of the resist film 3 or above and the wafer 1 is immersed in the stripping solution in the treatment tank 10, dissolution of the resist film 3 is also promoted.例文帳に追加

また、低温剥離液処理槽１０内の剥離液の温度を、レジスト膜３の融点以上とし、被洗浄物であるウェハ１を低温剥離液処理槽１０内の剥離液に浸漬した際もレジスト膜３の溶解を促進させるようにする。 - 特許庁

After the stripping solution is fed at a low pressure to the substrate W for a prescribed time, then the stripping solution is supplied from the nozzle 11 with a high pressure to the wafer W, by which the swollen photoresist film is stripped off.例文帳に追加

この低圧での剥離液供給が所定時間経過すると、次にノズル１１から高圧で剥離液が基板Ｗに供給され、膨潤したフォトレジスト被膜が剥離される。 - 特許庁