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shallow endsとは 意味・読み方・使い方
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「shallow ends」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
The depth of the dummy pocket 24 is shallow at the center and deeper at both ends.例文帳に追加
ダミーポケット24の深さは中央部で浅く、両端部で深い。 - 特許庁
The shallow and narrow siping 10 and the deep and thick siping 11 are alternately formed in the tire circumferential direction, and further, the shallow and narrow siping 10 has both ends opened to both side surfaces of the block 5.例文帳に追加
浅狭サイピング10と深厚サイピング11とは、タイヤ周方向に交互に形成され、しかも浅狭サイピング10は、両端がブロック5の両側面に開口する。 - 特許庁
Further the deep groove comb portions 20a are formed at both ends of the tongue portion 11 continued to the shallow groove comb portions 20b.例文帳に追加
さらに、これらの浅溝櫛状部20bに続く舌部11の両端には深溝櫛状部20aを設けている。 - 特許庁
The story ends repeating a similar line to an opening, 'Truly, one must not form bonds of friendship with a shallow man.'発音を聞く 例文帳に追加
物語は「咨軽薄の人と交はりは結ぶべからずとなん」と、冒頭の一節と同意の文を繰り返して終っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The depth of the grooves 15b, 17b are made deep in the central portion (a) in the stacking direction of the fuel cell stack and shallow at the ends (b).例文帳に追加
各溝15b,17bの深さは、燃料電池スタックの積層方向中央部分(a)で深く、端部(b)で浅くする。 - 特許庁
A very shallow groove-like recess which extends to ends of the substrate lengthwise and crosswise is formed like a stripe in the surface of the InGaP adhesion layer 5.例文帳に追加
InGaP接着層5の表面に縦横に基板端部に達する極浅い溝状の凹部をストライプ状に形成する。 - 特許庁
In addition, the engraving depth is made to be laterally symmetrical from around the central part toward around the both ends and to be stepwise shallow in 3 steps.例文帳に追加
加えて、彫刻の版深は、グラビアロールの中央部近傍から両端部近傍に向けて左右対称、かつ三段階に順次浅く設ける。 - 特許庁
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「shallow ends」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
The partition plate 4 is formed into a shallow dish shape, a flange part 4c is provided on its outer circumference, and both ends of the flange part 4c are fit in slits 5 of a tube plate 2.例文帳に追加
仕切プレート4を浅い皿状に形成すると共に、その外周にフランジ部4cを設け、そのフランジ部4cの両端をチューブプレート2のスリット5に嵌着する。 - 特許庁
A pair of first diffusion layers 5a, which are shallow surface layers of a semiconductor substrate, are formed in part of a region inwardly from lower both ends of the gate electrode 4.例文帳に追加
半導体基板の浅い表層であって、ゲート電極4の下部の両端部から内方にかけて一部の領域に一対の第1の拡散層5aが形成されている。 - 特許庁
At the initial stage of the charging, since the potential difference between both ends of the capacitor C1 or the gate voltage of a transistor Q1 is small, the bias of the transistor Q1 is shallow, and the transistor Q1 is cut off.例文帳に追加
充電開始当初は、コンデンサC1の両端の電位差すなわちトランジスタQ1のゲート電圧が小さいので、トランジスタQ1のバイアスは浅く、トランジスタQ1はカットオフされている。 - 特許庁
In a rod supporting portion of end plates 24, 26, an exhaust groove 42 and a shallow-groove-surface squeezing 46 are arranged in this order from ends at gas chambers 36, 38 sides to an external atmospheric opening 60 side.例文帳に追加
エンドプレート24,26のロッド支持部には、気体室36,38の側の端部から、外部の大気開放60の側に向かって、排気溝42、浅溝表面絞り46がこの順で配置される。 - 特許庁
At the tread surfaces 4Ba, Xa, Ya of each block 4 are provided with shallow groove parts 7 and 10 having a width of 1-3 mm and a depth of 1-4 mm stretching in the tire width direction in such an arrangement that at least their one-side ends are positioned inside the block 4.例文帳に追加
ブロック4のトレッド表面4Ba,Xa,Yaには、幅1〜3mm、深さ1〜4mmの浅溝部7,10が少なくとも一端をブロック4内に位置するようにしてタイヤ幅方向に延設されている。 - 特許庁
A plurality of narrow grooves 5 of shallow depths for inducing the brazing filler-metal are made radially on the surface of a curved hole edge 2b of a tube-insertion hole 2, and the ends of the grooves are allowed to reach to the edge 2b of the hole.例文帳に追加
チューブ挿通孔2の湾曲孔縁2bの孔縁部表面に放射状の浅く細い複数のろう材誘導用のろう材導入溝5を形成し、その先端が湾曲孔縁2bに達するようにしておく。 - 特許庁
The shallow groove has both ends opened on outer wall surfaces 12 of the shallowly-grooved block and it has groove wall surfaces 17w extending radially inwardly of the tire from the tread surface 11 of the block B and a bottom 17b connecting the groove wall surfaces 17w.例文帳に追加
浅溝17は、両端がブロック外壁面12で開口するとともに、ブロックBの踏面11からタイヤ半径方向内側にのびる溝壁面17wと、該溝壁面17w間を継ぐ底面17bとを具える。 - 特許庁
The curvature radius of the curved elastic contact 14 is smaller than a curvature radius of the outer circumferential edge 4a of the semiconductor wafer 4, and each of ends 14b, 14b comes into contact with the outer circumferential edges 4a, 4a of the semiconductor wafer 4 at a shallow angle each.例文帳に追加
この湾曲弾接片14の曲率半径は、半導体ウエハ4の外周縁部4aの曲率半径よりも小さく、各端部14b,14bが、半導体ウエハ4の外周縁4a,4aに各々浅い角度で当接する。 - 特許庁
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