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transport equationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 輸送方程式
「transport equation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
Inspection of Equation 8 indicates that the suspended sediment distribution is dependent on four transport coefficients: .....例文帳に追加
式8は浮遊堆積物の分布が4つの輸送係数に依存していることを示している。 - 英語論文検索例文集
Inspection of Equation 8 indicates that the suspended sediment distribution is dependent on four transport coefficients.例文帳に追加
式8は浮遊堆積物の分布が4つの輸送係数に依存していることを示している。 - 英語論文検索例文集
Inspection of Equation 8 indicates that the suspended sediment distribution is dependent on four transport coefficients.例文帳に追加
式8の検証は浮遊堆積物の分布が4つの輸送係数に依存していることを示している。 - 英語論文検索例文集
One free parameter ε is introduced when an advective term in a transport equation is subjected to third-order finite difference approximation.例文帳に追加
輸送方程式における移流項を3次精度の有限差分近似する際に、1つのフリーパラメータεを導入する。 - 特許庁
To provide an analytical construction method of a third-order calculation scheme for ensuring stability, relating to a finite difference numerical calculation method in a transport equation.例文帳に追加
輸送方程式における有限差分数値計算法に関し、安定性を保証する３次精度計算スキームの解析的構成法 - 特許庁
In the same way, the reflectance and transmittance of total part of an electron transport layer ETL and a cathode C is determined by the calculation equation by taking the multiple reflection into consideration.例文帳に追加
同様に、電子輸送層ＥＴＬ、陰極Ｃの全体の反射率と透過率を多重反射を考慮して演算式により求める。 - 特許庁
A hole transport layer HTL, a hole injection layer HIL, and an anode A are considered as a multi-layer film, respectively, and reflectance of total part is determined by a calculation equation by taking multiple reflection or the like into consideration.例文帳に追加
正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ、陽極Ａをそれぞれ多層膜とみなし、全体の反射率を多重反射等を考慮して演算式により求める。 - 特許庁
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「transport equation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
To provide the technology for determining a diffusion constant in a reflector region used for a two-group diffusion calculation method so that a solution close to a strict solution found in the Boltzmann transport equation can be obtained.例文帳に追加
２群拡散計算法で使用される反射体領域の拡散定数を，ボルツマン輸送方程式で得られる厳密解に近い解が得られるように決定する技術を提供する。 - 特許庁
To provide a device simulation apparatus, a device simulation method and a program that accurately analyze electric characteristics of a Schottky source/drain MOSFET at a high speed by employing the effect of quantum-mechanical tunneling through a Schottky barrier for a device simulator based on a classical and a semiclassical transport equation.例文帳に追加
ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。 - 特許庁
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