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transition latticeの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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transition latticeとは 意味・読み方・使い方

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機械工学英和和英辞典での「transition lattice」の意味

transition lattice


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該当件数 : 24



例文

A transition element preparation means 12 generates a transition element for solving an intermediate node generated by the generation/deletion of the lattice.例文帳に追加

遷移要素作成手段12で、格子の生成削除で生じた中間節点を解消するための遷移要素を生成する。 - 特許庁

For a great earthquake, transition of an energy absorbing means occurs from the high damping rubber 34 to a lattice material 28.例文帳に追加

また、大きい地震の場合は、高減衰ゴム34からラチス材28へエネルギ吸収手段が移行される。 - 特許庁

The first transition body has a first lattice parameter at a first surface and a second lattice parameter at a second surface opposite the first surface.例文帳に追加

前記第一遷移本体は、第一表面において第一の格子パラメータを有し、前記第一表面とは反対側の第二表面において第二の格子パラメータを有する。 - 特許庁

The semiconductor structure further comprises a second transition body, such as a transition module, having a smaller lattice parameter at a lower surface overlying the second surface of the first transition body and a larger lattice parameter at an upper surface of the second transition body, as well as a III-Nitride semiconductor layer over the second transition body.例文帳に追加

前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。 - 特許庁

The transition inhibiting layer 104 can effectively prevent the generation of transition caused by lattice mismatch between an n-type GaN layer 102 and an n-type AlGaN clad layer 103.例文帳に追加

転位素子層104は、n型GaN層102とn型AlGaNクラッド層103との間の格子不整合による転位の発生を効果的に阻止することができる。 - 特許庁

To realize quantum dot array formed on a semiconductor or high superconductive transition temperature in a general solid substance, and provide a lattice type within reach.例文帳に追加

半導体上に作製される量子ドット列、または一般の固体において高い超伝導転移温度を実現し、かつ実現可能な格子形を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「transition lattice」の意味

transition lattice


「transition lattice」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 24



例文

In the β-type sialon phosphor, the lattice constant (a) of β-type sialon crystal is 0.7605-0.7610 nm and the lattice constant (c) is 0.2906-0.2911 nm, the content of Eu is 0.4-2 mass% and the content of the first transition metal is ≤5 ppm.例文帳に追加

β型サイアロン結晶の格子定数aが0.7605〜0.7610nm、格子定数cが0.2906〜0.2911nmであり、Eu含有量が0.4〜2質量%、第一遷移金属含有量が5ppm以下であるβ型サイアロン蛍光体である。 - 特許庁

The oxygen reduction catalyst includes a transition metal oxide the crystal lattice of which is expanded by introducing an oxygen defect independently in the crystal lattice or introducing the oxygen defect thereinto and substituting at least one of a carbon atom and a nitrogen atom for a part of oxygen atoms.例文帳に追加

酸素欠陥が単独で導入される、又は、酸素欠陥が導入されかつ酸素原子の一部が炭素原子及び窒素原子の少なくとも一方で置換されることにより結晶格子が膨張した遷移金属酸化物を含む酸素還元触媒。 - 特許庁

Accordingly, when a bending moment is applied to a part heated to a temp. equal to or higher than the transition temp., of the Si-based material, crystal lattice interstitial slip or slip among crystal grains in the heated part is caused to deform the material.例文帳に追加

従って、遷移温度以上に加熱した加熱部に曲げモーメントを作用させると、加熱部において格子間あるいは結晶粒間にすべりが生じ、Si系材料は変形する。 - 特許庁

The transition density induced due to a difference of crystal lattice between the board 1 and the semiconductor 3 is remarkably reduced, and a growth of the semiconductor 3 is improved.例文帳に追加

基板1とAlGaInN化合物半導体3との間の結晶格子の差により誘起する転位密度が著しく低下すると共に、AlGaInN化合物半導体3の成長が向上する。 - 特許庁

In this method, a battery assembly with a positive electrode, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte solution is adjusted to the condition in which lattice volume of a positive electrode active material (for example, lithium transition metal oxide) is decreased or increased in comparison with the range of lattice volume of the battery in normal using condition.例文帳に追加

本発明の製造方法では、正極と負極と非水系電解液とを備えた電池組立体を、正極活物質(例えばリチウム遷移金属酸化物)の格子体積が電池の通常の使用状態における格子体積の範囲よりも減少または増大した状態に調整する。 - 特許庁

Sub-lattice magnetization of transition metal of the first to third magnetic layers and sub-lattice magnetization of rare earth metal are oriented to the same direction, the first to third magnetic layers are regarded as one magnetic material from such a magnetization state and activation volume in this case become for three layers of the first to third magnetic layers.例文帳に追加

第1磁性層〜第3磁性層の遷移金属の副格子磁化及び希土類金属の副格子磁化はそれぞれ同方向に配向しており、かかる磁化状態からすると、第1磁性層〜第3磁性層を1つの磁性体とみなすことができ、この場合の活性化体積は第1〜第3磁性層の3層分となる。 - 特許庁

Then, the backside performance image is switched from the performance image by the display device and displayed by a transition command, and the lattice image is displayed at a transmissive display device which is arranged at the front face of the display device.例文帳に追加

そして、移行指示によって前記表示装置に背面演出画像を前記演出画像から切り換えて表示させ、その表示装置の前面に配置された透過型表示装置に格子画像を表示する。 - 特許庁

例文

The anode active material for a nonaqueous electrolyte secondary battery contains a compound, having a crystal lattice structure expressed in general formula: M_xP (M: a transition metal x≥1), and is indexed as a C22(Fe_2P)-type by Strukturbericht designation.例文帳に追加

一般式M_xP(M:遷移金属、x≧1)で表され、Strukturbericht designationによりC22(Fe_2P)型に指標付けられる結晶格子構造を有する化合物を含有することを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質である。 - 特許庁

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