transition metal nitridesとは 意味・読み方・使い方

The composite structure 10 comprises: a base material 11 made of metal, ceramic, resin or a composite material thereof; a structure 12 made of a brittle material formed on the surface thereof by an aerosol deposition process; and a thin film 13 of one or more kinds selected from transition metal carbides, transition metal nitrides, transition metal borides and diamond like carbon and formed on the surface thereof.例文帳に追加

複合構造物１０は、金属やセラミックス、樹脂あるいはこれらの複合材料からできている基材１１と、この表面にエアロゾルデポジション法によって形成される脆性材料からなる構造物１２と、さらにこの表面に形成される遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、遷移金属ほう化物、ダイヤモンドライクカーボンのうちの一種以上からなる薄膜１３とからなる。 - 特許庁

Nitrides of at least one kind of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, B, Al or Si are uniformly dispersed and incorporated at a concentration of ≥1 to ≤20% into an amorphous film of a rare earth-transition metal alloy constituting a magnetic recording layer.例文帳に追加

磁気記録層を構成する希土類−遷移金属合金非晶質膜中に、少なくとも１種類のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、又はＳｉの窒化物を、濃度１％以上２０％以下で膜中に均一に分散させて含有させる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11.例文帳に追加

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。 - 特許庁