transition metal silicideとは 意味・読み方・使い方

M in the composition of the Si-C-M-O ceramic inorganic continuous fibers is one or two or more metal elements selected from alkali metal forming stable oxide, carbide and silicide, alkali earth metal, polyvalent metal, transition metal, precious metal, rare earth metal and actinide metal.例文帳に追加

ここにＳｉーＣーＭーＯ系セラミック無機長繊維の組成中のＭは、安定な酸化物、炭化物、珪化物を形成するアルカリ金属、アルカリ土類金属、多価金属、遷移金属、貴金属、稀土類金属、アクチナイド金属から選ばれる１又は２以上の金属元素である。 - 特許庁

The transition metal silicide-Si composite powder and the method of manufacturing the same are provided, the composite powder containing one or more transition metal elements (M), and having a Si/M ratio (z) of 2.0≤z≤20.0 and a specific surface area of 2.5 m^2/g or more.例文帳に追加

１種又は２種以上の遷移金属元素（Ｍ）を含み、Ｓｉ／Ｍ比（ｚ）が２．０≦ｚ≦２０．０であり、比表面積が２．５ｍ^2／ｇ以上である遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末及びその製造方法。 - 特許庁

A silicide film having a cubic volume larger than a cubic volume of the amorphous film is formed through thermal reaction of the amorphous film and the transition metal film.例文帳に追加

前記非晶質膜および前記遷移金属膜の熱反応により、前記非晶質膜よりも体積が大きいシリサイド膜が形成される。 - 特許庁

In addition, the CaSi_y-based powder for manufacturing the transition metal silicide-Si composite powder and the method of manufacturing the same are provided, the CaSi_y-based powder having a Si/Ca ratio (w) of 2.0≤w≤20.0 and containing at least a Ca-silicide phase.例文帳に追加

Ｓｉ／Ｃａ比（ｗ）が２．０≦ｗ≦２０．０であり、少なくともＣａシリサイド相を含む遷移金属シリサイド−Ｓｉ複合粉末製造用ＣａＳｉ_y系粉末及びその製造方法。 - 特許庁

The transition metal film is removed, and the upper layer insulating film is processed using the silicide film as a mask to form a first groove in the upper layer insulating film.例文帳に追加

前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第１の溝が形成される。 - 特許庁

The method includes: forming a translucent first layer on an optical substrate 1 directly or through the other layer; and forming, on a surface of the first layer, a translucent thin film 33 including at least any one of transition metal carbide, transition metal silicide and transition metal germanide by means of physical vapor deposition.例文帳に追加

光学基材１の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成することと、第１の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜３３を物理的蒸着により形成することとを有する。 - 特許庁

Because the phase transition and the change of the resistance value of the metal silicide film are utilized, the change of the volume of the resistor is small so that no constraint is required on the design in the surrounding and upper parts of the programmable element.例文帳に追加

金属珪化物膜の相転移と抵抗値の変化を利用するので、抵抗体の体積変化が小さく、プログラマブル素子の周囲や上部に設計上の制約を設ける必要がない。 - 特許庁

In a method of crystallizing an amorphous silicon thin film by the use of a transition metal silicide, the amorphous silicon thin film is oriented in the {100} plane through a seed method of bringing a part of the amorphous silicon thin film into contact with a silicon substrate or a high- temperature annealing method of making the amorphous silicon thin film reach a higher annealing temperature at a high speed.例文帳に追加

遷移金属シリサイドを用いて非晶質シリコン薄膜を結晶化させる方法において、非晶質シリコン薄膜の一部をシリコン基板に直接接触させるシード法や、より高温のアニール温度により高速に到達させる高温アニール法により、｛１００｝面に方位制御する。 - 特許庁