tegsとは 意味・読み方・使い方

In a semiconductor device comprising a TEG group composed of one or more TEGs each having wiring 162_1, 162_2 and 162_3 at ground potential and wiring 161_1, 161_2 and 161_3 at floating potential, the width and interval of the wiring are identical in each TEG, but one of the width and interval is different between different TEGs.例文帳に追加

接地電位にある配線１６２_１、１６２_２、１６２_３とフローティング電位にある配線１６１_１、１６１_２、１６１_３とを有する２つ以上のＴＥＧからなるＴＥＧ群を備えた半導体装置は、それぞれのＴＥＧにおいては配線の線幅及び間隔を同一とし、異なるＴＥＧ間では配線の線幅と間隔のうちのいずれか一方が互いに異なる。 - 特許庁

A TEG group 300 includes a pad 310 for first test, a pad 312 for second test, and a plurality of TEGs (for example, a first TEG 320, a second TEG 340, and a third TEG 360).例文帳に追加

ＴＥＧ群３００は、第１テスト用パッド３１０、第２テスト用パッド３１２、及び複数のＴＥＧ（例えば第１ＴＥＧ３２０、第２ＴＥＧ３４０、及び第３ＴＥＧ３６０）を有している。 - 特許庁

The TEGs 14 each having not more than 1/2 of the width of the scribing line region 13 are formed on the scribing line region 13 of four corners of each of the reticle shots 11 and on the center scribing line region 13 thereof.例文帳に追加

各レチクルショット１１の４隅のスクライブ線領域１３上、及び、中央のスクライブ線領域１３上に、スクライブ線領域１３の幅の１／２以下の寸法を有するＴＥＧ１４を形成する。 - 特許庁

From a circuit viewpoint, the plurality of TEGs are located between the pad 310 for first test and the pad 312 for second test, are arranged in series or in parallel to one another, and are not overlapped to one another in a plan view.例文帳に追加

複数のＴＥＧは、電気回路上、第１テスト用パッド３１０と第２テスト用パッド３１２の間に位置し、互いに直列又は並列に配置されており、かつ平面視で互いに重なっていない。 - 特許庁

For example, a measurement system measures two or more types of matrix array TEGs included in each of a plurality of chips on a wafer, while changing their address one by one, and generates a measurement result file F21 for each chip.例文帳に追加

例えば、測定システムが、ウエハ上の複数のチップのそれぞれに含まれる複数種類の行列型配置ＴＥＧを対象としてアドレスを順次変更しながら測定を行い、チップ毎に測定結果ファイルＦ２１を生成する。 - 特許庁

When four semiconductor chips 2a-2d are exposed in a one-shot region SA at exposure time, TEGs 4a-4d are formed in the parts of a scribe region 3 near the respective corners of the one-shot region SA and a TEG 4e is formed in the part of the scribe region 3 at the center of the one-shot region SA.例文帳に追加

露光時の１ショット領域ＳＡにおいて、４つの半導体チップ２ａ〜２ｄが照射される場合、１ショット領域ＳＡにおける各々のコーナ部近傍のスクライブエリア３には、ＴＥＧ４ａ〜４ｄがそれぞれ形成され、１ショット領域ＳＡの中心部におけるスクライブエリア３にはＴＥＧ４ｅが形成される。 - 特許庁