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ticl4とは 意味・読み方・使い方
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ticl4
a dot written beside a Japanese character in order to modify the pronunciation
第4の
a shift―the last shift―the last resource―the last expedient
the characteristic of dignity and grace
the batting order
四つ足の.
the fourth
All men are brothers―（名詞に訳せば）―universal brotherhood―brotherhood of men
ウスグロチャタテ
the four classic plants （the orchid, the chrysanthemum, the plum and the bamboo）
「ticl4」を含む例文一覧
該当件数 : 26件
DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING TITANIUM TETRACHLORIDE (TiCl4)例文帳に追加
四塩化チタン製造装置及び製造方法 - 特許庁
A refined TiCl4 having normal purity is taken out by supplying crude TiCl4 to a 1st distillation tower 10A and taking out a side cut or taking out from the top.例文帳に追加
粗ＴｉＣｌ_4 を第１の蒸留塔１０Ａに供給してサイドカット又は塔頂抜き取りにより通常純度の精製ＴｉＣｌ_4 を取り出す。 - 特許庁
ANALYSIS METHOD OF METAL IMPURITY IN TiCl4, AND METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY TITANIUM例文帳に追加
ＴｉＣｌ４中の金属不純物の分析方法及び高純度チタンの製造方法 - 特許庁
TiCl4 having the normal purity is manufactured also by supplying crude TiCl4 to the 1st distillation tower 10A and the 2nd distillation tower 10B in parallel and taking out the refined TiCl4 by side cut or from the top of each distillation tower.例文帳に追加
粗ＴｉＣｌ_4 を第１の蒸留塔１０Ａ及び第２の蒸留塔１０Ｂに並列的に供給してサイドカット又は塔頂抜き取りにより各蒸留塔から精製ＴｉＣｌ_4 を取り出すことにより、通常純度のＴｉＣｌ_4 も製造できる。 - 特許庁
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「ticl4」を含む例文一覧
該当件数 : 26件
After a tile 2 is heated in a heating zone 3, TiO2 produced by hydrolysis of TiCl4 vapor in a vapor deposition room 4 into which the TiCl4 vapor produced at TiCl4 vapor producing furnace 5 is introduced is deposited on the tile surface to form a TiO2 film on the tile surface.例文帳に追加
タイル２を加熱ゾーン３で加熱した後、ＴｉＣｌ_4蒸気発生炉５で発生させたＴｉＣｌ_4蒸気が導入される蒸着室４にて、ＴｉＣｌ_4蒸気の加水分解で生じたＴｉＯ_2をタイル表面に蒸着させることにより、タイル表面にＴｉＯ_2被膜を形成する。 - 特許庁
After a tile 2 is heated in a heating zone 3, TiO2 generated by hydrolysis of TiCl4 vapor is deposited on the tile surface, in a vapor deposition chamber 4 where TiCl4 vapor generated in a TiCl4 vapor generating furnace 5 is introduced, to form a TiO2 film on the tile surface.例文帳に追加
タイル２を加熱ゾーン３で加熱した後、ＴｉＣｌ_4蒸気発生炉５で発生させたＴｉＣｌ_4蒸気が導入される蒸着室４にて、ＴｉＣｌ_4蒸気の加水分解で生じたＴｉＯ_2をタイル表面に蒸着させることにより、タイル表面にＴｉＯ_2被膜を形成する。 - 特許庁
In one suitable embodiment, a TiN layer of about <20 angstrom is formed at the NH3:TiCl4 ratio of about 85, and after that, a thicker TiN layer is deposited at the NH3:TiCl4 ratio of about 8.5.例文帳に追加
１つの好適な実施例において、約２０オングストローム未満のＴｉＮ層が約８５のＮＨ_3：ＴｉＣｌ_4比で形成され、その後、より厚いＴｉＮ層が約８.５のＮＨ_3：ＴｉＣｌ_4比で堆積される。 - 特許庁
A titanium nitride film 204 is formed, using a thermal chemical deposition reaction between ammonia (NH3) and titanium tetrachloride (TiCl4) at a temperature of less than about 600°C and NH3: TiCl4 flow ratio greater than about 5.例文帳に追加
アンモニア（ＮＨ_3）と４塩化チタン（ＴｉＣｌ_4）の間の熱的な化学気相堆積反応を使用して、摂氏約６００度未満の温度と、約５を超えるＮＨ_3対ＴｉＣｌ_4比において、窒化チタン膜２０４が形成される。 - 特許庁
The method for forming a titanium nitride (TiN) layer uses the reaction between ammonia (NH3) and titanium tetrachloride (TiCl4).例文帳に追加
窒化チタン（ＴｉＮ）層を形成する方法は、アンモニア（ＮＨ_3）及び四塩化チタン（ＴｉＣｌ_4）間の反応を使用する。 - 特許庁
To manufacture high purity TiCl4 having the specification required for a raw material of superhigh purity Ti for semiconductor wiring.例文帳に追加
半導体配線用の超高純度Ｔｉの原料に要求されるスペックの高純度ＴｉＣｌ_4 を製造する。 - 特許庁
In this case, the TiCl4 is the reaction rate-determination in a thermal chemical reaction, the TiN film 8 having a good step-coverage is formed.例文帳に追加
ここでは、ＴｉＣｌ_4を熱化学反応における反応律速とし、ステップカバレージに優れたＴｉＮ膜８を形成する。 - 特許庁
In one embodiment, a TiN layer is deposited by using the temp. of about 500°C, the pressure of about 2 Torr and the NH3:TiCl4 ratio of about 8.5.例文帳に追加
一実施例においては、約５００℃の温度，約２０トルの圧力で約８.５のＮＨ_3：ＴｉＣｌ_4比を使用してＴｉＮ層を堆積する。 - 特許庁
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