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vbdとは 意味・読み方・使い方
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「vbd」を含む例文一覧
該当件数 : 8件
When a VBD signal is detected, a modem demodulator demodulates this modulated signal into a surest baseband signal.例文帳に追加
VBD信号を検出したら、この変調信号をモデム復調器で、もっとも確からしいベースバンド信号に復調する。 - 特許庁
To provide a compromise between two traditional manners, namely, between FoIP and VBD.例文帳に追加
2つの従来方法、即ちFoIP及びVBD間の妥協を提供する。 - 特許庁
To improve a high-voltage transistor structure that achieves high Vbd with very low on-state resistance, and minimizes an edge termination region which isolates an active device cell from a peripheral region.例文帳に追加
かなり低いオン状態抵抗で高いVbdを実現し、またその一方で、アクティブなデバイスセルを周辺領域から分離するエッジ終端領域を最小化する、高電圧トランジスタ構造の改良。 - 特許庁
To realize a high Vbd with a considerably low on-state resistance and on the other hand, to improve the structure of a high-voltage transistor by minimizing the edge termination region that separates an active device cell from its peripheral region.例文帳に追加
かなり低いオン状態抵抗で高いVbdを実現し、またその一方で、アクティブなデバイスセルを周辺領域から分離するエッジ終端領域を最小化する、高電圧トランジスタ構造の改良。 - 特許庁
A driving circuit 10 of the magneto-resistance effect head for driving the magneto-resistance effect head 21 is constituted so that a potential VMR of the head 21 to the ground becomes less than a breakdown voltage VBD.例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッド21を駆動する磁気抵抗効果型ヘッド駆動回路10を、グランドに対する磁気抵抗効果型ヘッド21の電位V_MRが、ブレークダウン電圧V_BD未満となるように構成する。 - 特許庁
An ON voltage V1 at a diode current Io is set lower than an energization start voltage Vbd of a body diode 2 of an SiC-MOSFET1 as shown in current voltage characteristic-1 of an SiC Schottky barrier diode 3.例文帳に追加
SiCショットキーバリアダイオード3の電流電圧特性−1に示すように、ダイオード電流Ioでのオン電圧V1を、SiC−MOSFET1のボディーダイオード2の通電開始電圧Vbdより低く設定する。 - 特許庁
The noise removal and detection of a signal VBUS are performed in a detection part 100 according to a low-frequency clock signal CLK generated in a CR oscillation circuit 50, and a detection signal VBD is given to a processing control part 70.例文帳に追加
CR発振回路50で生成された低周波のクロック信号CLKに従い、検出部10で信号VBUSの雑音除去と検出が行われて検出信号VBDが処理制御部70に与えられる。 - 特許庁
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「vbd」を含む例文一覧
該当件数 : 8件
In addition, a dielectric breakdown life tBD of the insulating film is predicted by finding the discriminating current at which an actual oxide film thicknesses XOX of the samples obtained by capacitance measurement coincides with the effective film thickness Xeff(max) from the graph and the dielectric breakdown voltages VBD by using the found discriminating current as the discriminating current of the samples.例文帳に追加
さらに、容量測定により得られたサンプルの実際の酸化膜厚X_OXと実効膜厚X_eff(max)が一致する判定電流をグラフより求め、これを上記サンプルにおける判定電流として絶縁破壊電圧V_BDを求め、絶縁破壊寿命t_BDを予測する。 - 特許庁
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