anodic formationとは 意味・読み方・使い方

To prevent a diaphragm from being deformed or an anodic joint to a channel substrate from peeling off in a film formation/crystallization process of a piezoelectric element.例文帳に追加

圧電膜の成膜・結晶化工程において振動板が変形したり流路基板との陽極接合部が剥がれたりするのを防ぐ。 - 特許庁

Further, the method comprises a stage wherein, after the formation of the fine pores, projections are formed from a base layer provided below the film to be subjected to anodic oxidation into the fine pores.例文帳に追加

前記細孔の形成後、被陽極酸化膜の下に設けた下地層より該細孔内に突起物を形成する工程を含むナノ構造体の製造方法。 - 特許庁

To produce a photoreceptor with UCL comprising a good anodic oxidation film which does not crack in drying by heating attendant on the formation of a photoconductive layer even if the degree of pore sealing is increased so as to enhance the characteristics of the photoreceptor and even after spontaneous pore sealing proceeds because the anodic oxide film is allowed to stand over a long period of time.例文帳に追加

感光体特性を向上させるべく封孔度を高めても、さらに長期放置による自然封孔進行後も、光導電層形成に伴う加熱乾燥処理時にクラックの発生しない良好な陽極酸化皮膜からなるＵＣＬを備えた感光体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, dielectric breakdown occurs by a formation voltage at the defective part 35 such as the pinhole on the gate insulation film 22, an electrolyte for the anodization permeates into the broken dielectric part and thus, an anodic oxide film 24 is formed.例文帳に追加

すると、ゲート絶縁膜２２のピンホール等の欠陥部３５に化成電圧により絶縁破壊が生じ、該絶縁破壊部に陽極酸化用の電解液が染み込むことにより陽極酸化膜２４が形成される。 - 特許庁

By controlling the conditions for the anodic oxidation in the porous area formation step, reflection spectra of the thin film formed on the surface of the porous silicon area on the main surface of the silicon substrate are adjusted.例文帳に追加

多孔質領域形成工程において陽極酸化の条件が制御されることにより、シリコン基板の一主面上における多孔質シリコン領域の表面に形成された薄膜の反射スペクトルが調整される。 - 特許庁

To hardly cause anodic oxidation on a lateral bar made of a valve- action metal, having oxidation-reduction potential higher than the valve-action metal of a chip piece and an anodic bar even when a formation liquid is adhered to the lateral bar.例文帳に追加

チップ片２の複数個を、金属製の横バー１に対して、当該各チップ片から延びる陽極棒３を固着することによって横バーの長手方向に適宜間隔で装着し、この横バーにおける各チップ片を、化成液５に浸漬して陽極酸化処理する場合に、前記横バーに化成液が付着することによって陽極酸化処理が低下することを回避する。 - 特許庁

It is formed by a process which includes a process for performing anodic formation with a first current density, a process for performing anodic formation with a second current density different from the first current density and a process for performing anodic formation with a third current density different from the first and second current densities.例文帳に追加

シリコン基板表面を陽極化成し非多孔質シリコン基体１１上に多孔質シリコン層１２を有する第１の基板を用意する工程、第１の基板上に非多孔質薄膜１３を形成する工程、第１の基板と第２の基板とを非多孔質薄膜が内側に位置するように貼り合わせて多層構造体を形成する工程、及び多層構造体を多孔質シリコン層１２において分離する工程、を有し、多孔質シリコン層１２は、第１の電流密度で陽極化成する工程、第１の電流密度とは異なる第２の電流密度で陽極化成する工程、及び第２の電流密度とは異なる第３の電流密度で陽極化成する工程、を含む工程により作製される。 - 特許庁

The silicon element substrate 3 and a glass support substrate 2 are jointed together through anodic bonding, through-parts 20 which reach the etching stop layer 18 penetrating through the surface 3a of the element substrate 3 are provided by dry etching for the formation of a sensor 1.例文帳に追加

そして、シリコンの素子基板３とガラスの支持基板２を陽極接合した後に、素子基板３の表面３ａ側からエッチングストップ層１８に至る貫通部２０をドライエッチングによって複数個形成してセンサ素子１を形作る。 - 特許庁