argon excimer laserとは 意味・読み方・使い方

When comparison is performed by a surface temperature of the silicon wafer 8, the argon excimer laser reaches a high temperature, but the temperature increase from the room temperature can be ignored in the case of the argon excimer lamp 1.例文帳に追加

得られたアルゴンエキシマ光（λ＝１２６ｎｍ，光子エネルギー＝９．８ｅＶ）は、シリコンウエハ上の酸化皮膜（ＳｉＯ_２：バンドギャップエネルギー＝９．０ｅＶ）より大きいく、アルゴンエキシマレーザー同様にＳｉ−Ｏ結合を完全に切断する。 - 特許庁

7. Excimer laser oscillators, copper laser oscillators, metal laser oscillators, sodium laser oscillators, barium laser oscillators, carbon monoxide laser oscillators, carbon dioxide laser oscillators, hydrogen fluoride laser oscillators, deuterium fluoride oscillators, and laser oscillators designed to be excited by excitation transfer from oxygen, krypton ion laser oscillators, argon laser oscillators and gas laser oscillators other nitrogen laser oscillators which fall under any of the following発音を聞く 例文帳に追加

（七）　エキシマーレーザー発振器、銅レーザー発振器、金レーザー発振器、ナトリウムレーザー発振器、バリウムレーザー発振器、一酸化炭素レーザー発振器、二酸化炭素レーザー発振器、ふっ化水素レーザー発振器、ふっ化重水素レーザー発振器、酸素からの励起移動によって励起するように設計したよう素レーザー発振器、クリプトンイオンレーザー発振器、アルゴンイオンレーザー発振器又は窒素レーザー発振器以外のガスレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

A bearing having a rolling body made of ceramic wherein a chrome-nitride film (CrN2 or CrN) or a zirconium-nitride film (ZrN) is formed on the surface opposing a raceway plane of each inner and outer ring, and a rotating member is employed as the touchdown bearing 13 for holding a rotating shaft 12a of a crossflow fan 12 of a argon-fluoride excimer-laser oscillating device.例文帳に追加

フッ化アルゴンエキシマレーザ発振装置のクロスフローファン１２の回転軸１２ａを支持するタッチダウン軸受１３として、転動体はセラミックス製であり、内外輪の軌道面および回転部材との対向面に、窒化クロム（ＣｒＮ_2またはＣｒＮ）皮膜または窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）皮膜が形成されているものを使用する。 - 特許庁

To provide an effective manufacturing method of a highly efficient semiconductor device which can use even ArF (argon fluoride) excimer laser light as exposure light in patterning, can control the thickening amount of a resist pattern to be fixed even if conditions such as temperature and atmosphere change, and has a fine wiring pattern or the like beyond exposure limit in a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件が変化しても一定にコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界を超えて微細な配線パターン等を有する高性能な半導体装置の効率的な製法方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern by which ArF (argon fluoride) excimer laser light can be used as exposure light upon patterning, a resist pattern can be stably made thick to a desired thickness without depending on the size, and a fine resist cut-out pattern can be inexpensively, easily and efficiently formed over the exposure limit (resolution limit) of a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンをそのサイズに依存することなく、所望の厚みに安定的に厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界（解像限界）を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。 - 特許庁