al-pとは 意味・読み方・使い方
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al-pの |
al-pの学習レベル | レベル:26 |
「al-p」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 268件
The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio.例文帳に追加
粒径<1μm;及び 粒径(μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1000≦80;(式中、[Si/(Si+Al+P)]はモル比である)の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁
The steel sheet contains C: 0.2 to 0.7%, Si: 0.01 to 1.0%, Mn: 0.1 to 1.0%, P: 0.03% or below, S: 0.035% or below, Al: 0.08% or below and N: 0.01% or below with the balance consisting of Fe and unavoidable impurities.例文帳に追加
C:0.2〜0.7%、Si:0.01〜1.0%、Mn:0.1〜1.0%、P:0.03%以下、S:0.035%以下、Al:0.08%以下、N:0.01%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁
The ridge side surface of the p-AlInAs/p- AlGaInAs layer 25 is formed as the Al oxide film 28 where the Al is selectively oxidized.例文帳に追加
p−AlInAs/p−AlGa InAs層25のリッジ側面部は、Alが選択的に酸化されたAl酸化層28となっている。 - 特許庁
One or ≥ two kinds selected from Mn, P, Al, Sn, Sb, Ni, Cu, Mo, W, La, V, Nb, Ti, Y, Zr, B and Co may be incorporated therein.例文帳に追加
Mn、P、Al、Sn、Sb、Ni、Cu、Mo、W、La、V、Nb、Ti、Y、Zr、B及びCoから選ばれる1種又は2種以上を含有させてもよい。 - 特許庁
The light transmitting layer 3 has an Al alloy ratio higher than that of the p-type AlGaAs active layer 4.例文帳に追加
透過層3は,Al混晶比が,p型AlGaAs活性層4よりも高い組成を有している。 - 特許庁
The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加
前記半導体スイッチの構造は、Al電極/p型単結晶炭化シリコン層/勾配組成物層/n型単結晶シリコン基板/Al電極(Al/p−SiC/GCL/n−Si/Al)を含み、前記勾配組成物層はp−SiCとn−Siの間の緩衝層である。 - 特許庁
As for the metal with Cu as a major component, metal containing Ni, P, Sn, Al, Si or the like to such a degree that the plating bath is not contaminated can be used for increasing their hardness compared with a Cu simple substance.例文帳に追加
本発明のCuを主成分とする金属としては、硬度をCu単体よりも高めるために、めっき浴を汚染しない程度のNi、P、Sn、Al、Si等を含有したものでもよい。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「al-p」の意味 |
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Alp
fly | 遺伝子名 | Alp |
同義語(エイリアス) | Abnormal leg pattern | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:44795 | |
その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000069 |
fly | 遺伝子名 | Alp |
同義語(エイリアス) | dActivin2; CG16987; Alp23B; Alp23b; ALP23B; Activin Like Protein at 23B; Activin-Like Protein | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:33474 | |
その他のDBのID | FlyBase:FBgn0031461 |
mouse | 遺伝子名 | Alp |
同義語(エイリアス) | Atrnlp; AI504415; Atrnl1; attractin like 1; AW555641; Atrnl | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:226255 | |
その他のDBのID | MGI:2147749 |
mouse | 遺伝子名 | alp |
同義語(エイリアス) | alopecia, recessive | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:11691 | |
その他のDBのID | MGI:88000 |
rat | 遺伝子名 | Alp |
同義語(エイリアス) | Pdlim3; Actinin-associated LIM protein; Actn2lp; actinin alpha 2 associated LIM protein; SK-2; Alpha-actinin-2-associated LIM protein; PDZ and LIM domain protein 3; PDZ and LIM domain 3 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q66HS7 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:114108 | |
その他のDBのID | RGD:620427 |
rat | 遺伝子名 | Alp |
同義語(エイリアス) | AKP1; Alp_mapped; Akp-1; alkaline phosphatase Akp-1 (mapped); Alkaline phosphatase (Akp-1) | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:24196 | |
その他のDBのID | RGD:2098 |
zfish | 遺伝子名 | alp |
同義語(エイリアス) | alkaline phosphatase; zgc:56672; MGC56672; Akp2 | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:393982 | |
その他のDBのID | ZFIN:ZDB-GENE-040420-1 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT
- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene
- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- FlyBase
- 米英の大学のショウジョウバエの研究者などにより運営される、ショウジョウバエの生態や遺伝子情報に関するデータベース。
- MGI
- 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
- RGD
- ウィスコンシン医科大学により運営される、ラットの遺伝子・ゲノム情報のデータベース。
- ZFIN
- ゼブラフィッシュ遺伝子命名法委員会により運営されている、研究用の淡水魚ゼブラフィッシュの遺伝子・ゲノム情報のデータベース。
Wiktionary英語版での「al-p」の意味 |
ALP
関連する語
名詞
- Acronym of axion-like particle.
- (biochemistry) Initialism of alkaline phosphatase.
Further reading
- Australian Labor Party on Wikipedia.
Weblio例文辞書での「al-p」に類似した例文 |
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alp
ハジロオオシギ
taipans
ホークビット
オオアタマガメ
platys
a paste-pot
オオハシカッコウ
「al-p」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 268件
The magnetic material comprises an Fe alloy magnetic material (containing Fe as a primary component and Si, Al (or Cr), etc. added thereto), such as an Fe-Si-Al-based or Fe-Si-Cr-based material, and phosphorous of 0.2 to 0.5 wt.% added to the Fe alloy magnetic material.例文帳に追加
本発明の一実施の形態に係る磁性材は、Fe-Si-Al系、またはFe-Si-Cr系等の、(Feを主成分として、Si、Al(またはCr)等を添加した)Fe系合金磁性材に、P(リン)が0.2〜0.5w%添加されて構成される。 - 特許庁
SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加
SiC結晶中に不純物としてAlとTiを含み、原子比でTi濃度≦Al濃度であるp型SiC半導体。 - 特許庁
This alloy casting has a composition containing 3.5 to 4.3% Cu, 5.0 to 7.5% Si, 0.10 to 0.25% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.0003% P, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加
Cu:3.5〜4.3%,Si:5.0〜7.5%,Mg:0.10〜0.25%,Fe≦0.2%、P≦0.0003%を含有し、残部がAl及び不可避不純物とからなる事を特徴とする。 - 特許庁
A region (high Al composition region 123) where the value of p is set to 1 (p=1) (AlN) is formed between the substrate connection region and active layer connection region.例文帳に追加
これらの領域間には、p=1(AlN)となっている領域(高Al組成領域123)が設けられている。 - 特許庁
The composition thereof comprises, by mass, 0.08 to 0.20% C, 0.2 to 1.0% Si, 0.5 to 2.5% Mn, ≤0.04% P, ≤0.005% S, ≤0.05% Al, 0.07 to 0.20% Ti and 0.20 to 0.80% V, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加
成分組成は、mass%で、C:0.08%以上0.20%以下、Si:0.2%以上1.0%以下、Mn:0.5%以上2.5%以下、P:0.04%以下、S:0.005%以下、Al:0.05%以下、Ti:0.07%以上0.20%以下、V:0.20%以上0.80%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁
The n-type absorption reducing layer 4 has a larger Al composition ratio than the n-type clad layer 5, and the p-type absorption reducing layer 12 has a larger Al composition ratio than the p-type second clad layer 11.例文帳に追加
n型吸収低減層4はn型クラッド層5よりもAl組成比が大きく、p型吸収低減層12はp型第2クラッド層11よりもAl組成比が大きい。 - 特許庁
The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加
本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁
The conductor has a structure that contains at least phosphoric acid hydrogen aluminum and silica, has a P/Al mole ratio (P/AL) to 2-5, and has a content of Si to 2-45 mole%.例文帳に追加
本発明のプロトン導電体は、リン酸水素アルミニウムとシリカを少なくとも含有し、PとAlのモル比(P/Al)が2〜5であり、Siの含有量が2〜45モル%である構成とする。 - 特許庁
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