al-uとは 意味・読み方・使い方

Al wires L2 and L4 (second wiring) connect anode electrodes 18 (first electrodes) of diodes D2 and D4 (second switching elements) to the U terminals, respectively.例文帳に追加

ＡｌワイヤＬ２，Ｌ４（第２の配線）は、ダイオードＤ２，Ｄ４（第２のスイッチング素子）のアノード電極１８（第１の電極）をＵ端子にそれぞれ接続する。 - 特許庁

The Hf(NMe_2)_4 has very high purity of having contents of impurities of Li, K, Cr, Ni, Ca, Cu, Mg, Na, Fe, Al, Zn, Co, Mn, Th and U regulated so as to be ≤20 ppb respectively, and Cl regulated so as to be ≤1 ppm.例文帳に追加

それはＬｉ，Ｋ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｔｈ，Ｕの不純物含有量が各々２０ｐｐｂ以下で、かつＣｌが１ｐｐｍ以下と非常に高純度であった。 - 特許庁

Al wires L1 and L3 (first wiring) connect anode electrodes 18 (first electrodes) of diodes D1 and D3 (first switching elements) to U terminals (first terminals), respectively.例文帳に追加

ＡｌワイヤＬ１，Ｌ３（第１の配線）は、ダイオードＤ１，Ｄ３（第１のスイッチング素子）のアノード電極１８（第１の電極）をＵ端子（第１の端子）にそれぞれ接続する。 - 特許庁

An IPM 1 includes a U-phase output portion 2, a V-phase output portion 3, a W-phase output portion 4, a gate drive portion 5, a substrate 6, a heat dissipation plate 7, a case 8, and a plurality Al wires 9.例文帳に追加

ＩＰＭ１は、Ｕ相出力部２と、Ｖ相出力部３と、Ｗ相出力部４と、ゲートドライブ部５と、基板６と、放熱板７と、ケース８と、複数のＡｌワイヤ９とを備えている。 - 特許庁

The plurality of adjacent refrigerant pipes 1 bent in hair-pin shape are brazed to each other via U-bent connection pipes by a torch, applying an Al-Si brazing material to their bonded portions via a fluoride flux material.例文帳に追加

またヘアピン状に折曲した複数の隣接する冷媒管１相互を、Ｕ状に折曲した連結管によって、その接合部分をＡｌ−Ｓｉ系ロウ材をフッ化物系のフラックス材を介してトーチによってロウ付け接合する。 - 特許庁

The negative electrode active material includes at least one boride expressed by MB_2 (M is Al, Mg, Ti, Ta, Zr, Np, Nb, Pu, Sc, Sm, Tb, U, V, Tm, Y, Yb, Mo, Mn, Lu, Hf, Fe, Gd, Er, Dy, Cr, Au, or Ag).例文帳に追加

負極活物質は、ＭＢ_２（ＭはＡｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｐ、Ｎｂ、Ｐｕ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｕ、Ｖ、Ｔｍ、Ｙ、Ｙｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｃｒ、ＡｕまたはＡｇ）で表されるホウ化物のうち少なくとも１種を含む。 - 特許庁

This method for producing the highly pure pentaalkoxytantalum which has Al, Ca, Cd, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Na, Ni, Pb, Zn, Th and U contents of <50 ppb, respectively, and a chlorine content of <1 ppm comprises distilling crude pentaalkoxytantalum by the use of a distilling column.例文帳に追加

ペンタアルコキシタンタル粗液を蒸留塔を用いて蒸留する、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、ＴｈおよびＵの含有量が各々５０ｐｐｂ未満であり、かつ塩素元素の含有量が１ｐｐｍ未満である高純度ペンタアルコキシタンタルの製造方法。 - 特許庁