backgateとは 意味・読み方・使い方

The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.例文帳に追加

半導体基板９０に形成され、異なる導電型の拡散層２１、２２、４１、４２からなるドレイン領域２０とバックゲート領域４０とを有するＭＯＳトランジスタ１００，１００ａ、１００ｂであって、 前記ドレイン領域２０と前記バックゲート領域４０とが隣接して配置され、隣接面にＰＮ接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

A buried oxide film 12 is formed on single crystal semiconductor substrate 11, and a first single crystal semiconductor layer 13 constituting the backgate electrode is formed on the buried oxide film 12.例文帳に追加

単結晶半導体基板１１上には埋め込み酸化膜１２が形成され、埋め込み酸化膜１２上には、バックゲート電極を構成する第１単結晶半導体層１３が形成されている。 - 特許庁

Thus, application of a high voltage between the gate and backgate of each of the transistors Pt11-Pt15 can be prevented when the voltage signal EB from the outside is input, irrespective of whether the high operation power source VDE is supplied or not supplied.例文帳に追加

これにより、高電位電源ＶＤＥの供給時／非供給時に関わらず、外部からの電圧信号ＥＢの入力時には各トランジスタＰｔ１１〜Ｐｔ１５のゲート−バックゲート間に高電圧が印加されることが防止される - 特許庁

To provide a backgate switching circuit capable of being suitably used for a system in which it is unclear as to which has higher potential among a source or a drain of a field effect transistor, and to provide a charge control apparatus using the same and an electronic device.例文帳に追加

本発明は、電界効果トランジスタのソース・ドレインいずれが高電位となるか不定であるシステムにも好適に用いることが可能なバックゲート切替回路、並びに、これを用いた充電制御装置及び電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

A selector circuit 53 determines the first/second selection condition under the control of the control signal S50, and selects one out of a B-pad 39 and a node N2 to be connected electrically to a backgate terminal NB of the measuring objective NMOS transistor MT.例文帳に追加

セレクタ回路５３は制御信号Ｓ５０の制御下で第１／第２の選択状態が決定され、Ｂパッド３９及びノードＮ２のうち、一方を選択して測定対象ＮＭＯＳトランジスタＭＴのバックゲート端子ＮＢに電気的に接続する。 - 特許庁

The trigger circuit 8 includes: a PMOS transistor P1 with a gate and a backgate connected to the power source line 4 and a source connected to the thyristor 7; and an NMOS transistor N1 for generating a current in which the current I1 is amplified in response to the current I1 flowing through the PMOS transistor P1.例文帳に追加

トリガ回路８は、ゲート及びバックゲートが電源線４に接続され、ソースがサイリスタ７に接続されたＰＭＯＳトランジスタＰ１と、ＰＭＯＳトランジスタＰ１を流れる電流Ｉ１に応答して電流Ｉ１が増幅された電流を生成するＮＭＯＳトランジスタＮ１とを備えている。 - 特許庁

A diode 44 is formed on a substrate 50, where a semiconductor integrated circuit device having IGBT and NMOS is formed, and the diode 44 is connected between the NMOS source electrode 66 and a backgate electrode 70, and the NMOS source electrode 66 and an emitter electrode 57 of the IGBT in the forward direction.例文帳に追加

ＩＧＢＴとＮＭＯＳとを持つ半導体集積回路装置が形成された基板５０上にダイオード４４を形成し、ＮＭＯＳのソース電極６６とバックゲート電極７０及びＩＧＢＴのエミッタ電極５７との間に、順方向になるようにダイオード４４を接続する。 - 特許庁

The method for radiation monitoring includes: applying a backgate voltage to a radiation monitor, the radiation monitor comprising a field effect transistor (FET); exposing the radiation monitor to radiation; determining a change in a threshold voltage of the radiation monitor; and determining an amount of radiation exposure based on the change in threshold voltage.例文帳に追加

放射線モニタリングのための方法が、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む放射線モニタにバックゲート電圧を印加すること、放射線モニタを放射線に曝露することと、放射線モニタの閾値電圧の変化を求めることと、閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めることとを含む。 - 特許庁