bipolar diffusionとは 意味・読み方・使い方

To realize high breakdown voltage and high reliability of a bipolar transistor wherein an outer base diffusion layer is formed in an outer circumferential part of an intrinsic base diffusion layer.例文帳に追加

真性ベース拡散層の外周部に外部ベース拡散層を形成したバイポーラトランジスタにおいて、高耐圧、高信頼性化を図る。 - 特許庁

To provide a bipolar plate for a fuel cell suppressing the stay of condensed water in a gas diffusion layer and improving gas diffusion performance.例文帳に追加

ガス拡散層における凝縮水滞留を抑制し、ガス拡散性を向上させる燃料電池用バイポーラープレートを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

Thus, the p-type diffusion layer 11, the n-type collector diffusion layer 14 and the n-type diffusion layer 16 are selectively extracted, and a parasitic npn bipolar transistor 22 consisting of the n-type collector diffusion layer 14, the p-type diffusion layer 11 and the n-type diffusion layer 16 is recognized.例文帳に追加

これにより、マスクレイアウトからＰ型半導体基板１１、Ｎ型コレクタ拡散層１４及びＮ型拡散層１６が選択的に抽出され、Ｎ型コレクタ拡散層１４とＰ型拡散層１１とＮ型拡散層１６とからなる寄生ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２２が認識される。 - 特許庁

To self-adjustably form not only an emitter diffusion layer but also a base diffusion layer and a collector diffusion layer, and readily and reliably enable a trend, to further fine and realize high performance of a bipolar transistor.例文帳に追加

エミッタ拡散層のみならず、ベース拡散層及びコレクタ拡散層を自己整合的に形成し、バイポーラトランジスタの更なる微細化・高性能化を容易且つ確実に可能とする。 - 特許庁

A collector 3 made of an N-type diffusion layer, a base 5 made of a P-type diffusion layer, and an emitter 7 made of an N-type diffusion layer are formed in a P-type semiconductor layer 1, to form a bipolar transistor.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１に、Ｎ型拡散層からなるコレクタ３、Ｐ型拡散層からなるベース５、Ｎ電型拡散層からなるエミッタ７が形成されてバイポーラトランジスタが形成されている。 - 特許庁

The diode element has a longitudinal bipolar transistor structure, comprising a collector diffusion layer 27, a base diffusion layer 29, and an emitter diffusion layer 31; its base and collector are connected; and is a diode element formed between the emitter and the base.例文帳に追加

ダイオード素子は、コレクタ拡散層２７、ベース拡散層２９及びエミッタ拡散層３１を備えた縦型バイポーラトランジスタ構造からなり、ベースとコレクタが接続され、エミッタとベースとの間で形成されたダイオード素子である。 - 特許庁