consumption junctionとは 意味・読み方・使い方

To provide a manufacturing method of a semiconductor element for lowering contact resistance, improving the leakage current characteristic of a junction part and manufacturing an ultrahigh integrated semiconductor element by increasing the thickness of Ti vapor deposition and making Si atom consumption in the junction part to be minimum.例文帳に追加

ＴｉＳｉ_2層の形成時、Ｔｉ蒸着厚さを厚くし且つ接合部内のＳｉ原子消耗を最小化することにより、コンタクト抵抗を低め接合部の漏洩電流特性を向上させて超高集積半導体素子の製造を実現することができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To make a high speed operation possible with small power consumption by reducing the junction capacitance of a diffusion layer region and a shallow well region, related to a DTMOS wherein lengthening of a gate depletion layer is suppressed and driving current is increased.例文帳に追加

ゲート空乏層の伸びを抑制して駆動電流を大きくしたＤＴＭＯＳにおいて、拡散層領域と浅いウエル領域の接合容量を低減し、より低消費電力で、高速動作を可能にする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which avoids decrease in an operation speed and increase in power consumption due to increase in pn junction capacitance composed of a source/drain region in a MOS transistor of a constant-voltage logic circuit unit.例文帳に追加

定電圧ロジック回路部のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域が構成するｐｎ接合容量の増大に伴う動作速度の低下および消費電力の増大を回避する不揮発性半導体装記憶置を提供する。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element allowed to be manufactured at lower costs and capable of attaining operation of low power consumption, because fine ohmic junction can be formed on a ridge structure at high reproducibility and an electrode can be drawn out without increasing stage disconnection and wiring resistance.例文帳に追加

リッジ構造上に対して再現性良く良好なオーミック接合を形成することができ、しかも段切れや配線抵抗の増大なく電極を引き出すことが可能になるため、より低コストで製造でき、低消費電力動作が可能な半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor element equipped with a heat spreader that can excellently radiate heat generated from the semiconductor element, can improve both the mounting reliability of the semiconductor device and the junction reliability of a heat radiating fin, and is improved in adaptability to a semiconductor element, particulaly, to a semiconductor element which is highly reduced in power consumption, and to provide a semiconductor package.例文帳に追加

半導体素子の放熱特性が優れていると共に、半導体素子の実装信頼性及び放熱フィンの接合信頼性を共に高めることができ、特に高消費電力化された半導体素子への適合性を高めたヒートスプレッダ付半導体素子及び半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

The heat characteristic estimation device of the present invention has: means for measuring an ambient temperature around the semiconductor device in a state in which the semiconductor device is operated by using power consumption with which the junction temperature of the semiconductor device is the limit temperature; and means for estimating the heat characteristic of the semiconductor device by using the measured temperature.例文帳に追加

そして、本発明の熱特性推定装置は、半導体装置のジャンクション温度が制限温度となる消費電力で半導体装置を動作させた状態で半導体装置の周囲の雰囲気温度を測定する手段と、測定した温度を利用して、半導体装置の熱特性を推定する手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁