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depletion layerとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 空乏層
「depletion layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 500件
The first layer demarcates, underneath thereof, a depletion layer.例文帳に追加
第１の層は、その下方に空乏層を画定する。 - 特許庁
A depletion layer is defined between the first layer and the embedded layer.例文帳に追加
第１の層と埋込層との間に空乏層が画定される。 - 特許庁
The N+ layer stops a reverse-side depletion layer from spreading, so even when the substrate is made high in specific resistance, the reverse-side depletion layer never comes into contact with a depletion layer of the piezo resistance.例文帳に追加
Ｎ＋層が裏面側の空乏層の広がりを抑止するため、基板の比抵抗を高くしてもピエゾ抵抗の空乏層と接触することがない。 - 特許庁
A depletion layer capacitance calculation means is provided and calculates true depletion layer capacitance on the assumption that the depletion layer extends in a depth actually equal.例文帳に追加
実際と等しい深さに拡がる仮想状態での真の空乏層の容量を算出する空乏層容量算出手段を備える。 - 特許庁
A depletion layer is generated only in the N-InAsP window layer 4.例文帳に追加
空乏層は、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４内のみに発生する。 - 特許庁
TRANSISTOR AND CONTROL METHOD OF DEPLETION LAYER IN TRANSISTOR例文帳に追加
トランジスタ、及びトランジスタにおける空乏層の制御方法 - 特許庁
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「depletion layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 500件
To solve the probvlems of global warming and ozone layer depletion.例文帳に追加
地球温暖化、オゾン層破壊が問題になっている。 - 特許庁
This depletion layer spreads over the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
この空乏層は半導体基板表面まで広がる。 - 特許庁
Consequently, formation of a depletion layer can be accelerated in an n^- epitaxial layer 2.例文帳に追加
これにより、ｎ^-エピタキシャル層２の空乏層化を促進することができる。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING DEPTH OF DEPLETION LAYER OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
半導体素子の空乏層深さ評価方法及び装置 - 特許庁
MEASURING METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR DEPLETION LAYER CAPACITY例文帳に追加
半導体空乏層容量測定方法及びその装置 - 特許庁
In each groove 27, depletion layer forming conductor layers 35, 36, and 37 are arranged through the intermediary of a depletion layer forming insulating film 34a.例文帳に追加
溝２７の中に空乏層用絶縁膜３４ａを介して空乏層用導体層３５、３６、３７を配置する。 - 特許庁
A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加
Ｎ^-層５とＰボディ領域９との間に形成される空乏層はＮ^-層５側に延びる。 - 特許庁
This electron-emitting light-emitting element includes: a plurality of PN junction parts each having a depletion layer 34 having a predetermined thickness formed therein; an anode electrode 12 facing the depletion layer of the P-N junction part and separated from the depletion layer by a predetermined distance; and a phosphor layer 13 formed on the depletion layer 34 side of the anode electrode.例文帳に追加
所定厚さの空乏層３４が形成されたＰ−Ｎ接合部３１と、Ｐ−Ｎ接合部の空乏層に対向して所定間隔をおいて配置されたアノード電極１２と、アノード電極の空乏層３４側に形成された蛍光体層１３と、を備える。 - 特許庁
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