coefficient of fabricationとは 意味・読み方・使い方

POLYMERIC POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR AND METHOD OF FABRICATION例文帳に追加

重合体正の温度係数サーミスタ及びその製造方法 - 特許庁

This process is ideal in the fabrication of the optical component formed from the substrate with a near-zero coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

このプロセスは、ゼロに近い熱膨張係数を有する基板から形成される光学コンポーネントの製造において理想的である。 - 特許庁

To provide a distributed feedback laser, a semiconductor optical device, and a method for fabricating a distributed feedback laser in which the fabrication yield can be enhanced by suppressing variation in the optical coupling coefficient caused by variation of fabrication.例文帳に追加

製造ばらつきに起因する光結合係数の変動を抑制し、製造歩留りを向上させることができる分布帰還型レーザ装置、半導体光装置、半導体光装置布帰還型レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition having both thermal conductivity and an insulation property in high levels, and less likely to exhibit anisotropy of a coefficient of thermal conductivity even in fabrication under shear such as injection molding.例文帳に追加

熱伝導性と絶縁性とを高水準で兼ね備え、さらに、射出成形などのせん断下での加工においても熱伝導率の異方性が発現しにくい樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device and a method of fabrication in which variation in the coupling coefficient can be suppressed when a plurality of semiconductor lasers are formed collectively on one semiconductor substrate.例文帳に追加

複数の半導体レーザを１枚の半導体基板上に一括形成したときの結合係数のばらつきを抑えることが可能な光半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a connection bump from being damaged even if not only its fine fabrication is carried out with a small stress relaxation material but also a material having a large difference of thermal expansion coefficient with respect to a semiconductor chip is used for a substrate bonded to the semiconductor chip.例文帳に追加

接続バンプを応力緩和の小さい材料で微細形成したり、更には半導体チップと接合する基板に半導体チップと熱膨張係数差が大きい材料からなるものを用いる場合でも、接続バンプ部分の損壊を抑止する。 - 特許庁

The average linear expansion coefficient at 20 to 30°C in the obtained composite material is the low one of ≤3×10^-6/°C, and is made optimum as the material for various devices such as an exposure device used in a semiconductor fabrication process, parts and fixtures.例文帳に追加

得られた複合材料の２０〜３０℃における平均の線膨張係数は、３×１０^-6／℃以下と低熱膨張であり、例えば半導体製造工程で使用される露光装置等の各種装置、部品及び治具の材料として最適なものである。 - 特許庁