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collector junctionの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 電気制御英語 > collector junctionの意味・解説 

collector junctionとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 コレクタ接合


電気制御英語辞典での「collector junction」の意味

collector junction


「collector junction」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 88



例文

The collector junction consists of hetero-junction (P^+-SiGe/N^--Si).例文帳に追加

コレクタ接合はヘテロ接合(P^+−SiGe/N^-−Si)より成る。 - 特許庁

A base emitter junction is formed as a heterojunction, and a base collector junction is also formed as a heterojunction.例文帳に追加

ベース・エミッタ接合をヘテロ接合にすると共に、ベース・コレクタ接合もヘテロ接合とする。 - 特許庁

The base/collector junction turns into the bonding of the collector well and the base well so that an interval between the collector and the emitter can be shortened.例文帳に追加

ベース/コレクタ接合がコレクタ井戸とベース井戸の接合になることにより、コレクタとエミッタの間隔が短縮される。 - 特許庁

To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector.例文帳に追加

不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ(SOI)バイポーラ接合トランジスタ(BJT)を提供すること。 - 特許庁

The hetero junction bipolar transistor comprises an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6.例文帳に追加

エミッタ層4、べース層5、コレクタ層6を具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタである。 - 特許庁

Thus, the injection of a carrier from successively biased base/emitter junction to reversely biased base/collector junction can be made large.例文帳に追加

短縮により、順バイアスされたベース/エミッタ接合から逆バイアスされたベース/コレクタ接合への担体の注入が大きくなる。 - 特許庁

例文

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。 - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「collector junction」の意味

collector junction


日英・英日専門用語辞書での「collector junction」の意味

collector junction


「collector junction」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 88



例文

A high electric field near a junction between a collector layer and a sub-collector layer constituting a collector region of the HBT is inhibited to improve the ON-withstand voltage.例文帳に追加

HBTのコレクタ領域を構成するコレクタ層とサブコレクタ層との接合部近辺における高電界を抑制することによって、オン耐圧を向上させる。 - 特許庁

A collector region 21 on the rear surface has an MPS structure of the p^+ collector region 19 and the Schottky junction 20 and the p^+ collector region 19 on the rear surface has a thickness of about 1 μm.例文帳に追加

この裏面のコレクタ領域部21をp^+ コレクタ領域19とショットキー接合20で構成されたMPS構造とし、裏面のp^+ コレクタ領域19の厚さを1μm程度とする。 - 特許庁

The electron transit layer 29 has a structure where the potential on the junction surface to the second barrier layer 28 is lower than the potential of the collector layer 30, approaches the potential of the collector layer 30 as the distance to the collector layer 30 becomes shorter, and the potential on the junction surface to the collector layer 30 is equal to the potential of the collector layer 30.例文帳に追加

電子走行層29は、第2の障壁層28との接合面でのポテンシャルがコレクタ層30のポテンシャルよりも低く、コレクタ層30との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層30のポテンシャルに近づき、コレクタ層30との接合面でのポテンシャルがコレクタ層30のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 - 特許庁

As shown in Fig. B, concentration distribution of the base region on the side nearer base-to- collector junction face is made deeper than that of a base-to-emitter junction face.例文帳に追加

図1Bに示すように、ベース領域の濃度分布が、ベースエミッタ接合面側よりもベースコレクタ接合面側に近づくにつれて濃くなっている。 - 特許庁

By this manufacturing method, occurrence of junction leak current between a collector and a base is suppressed.例文帳に追加

この製造方法により、コレクタ−ベース間の接合リーク電流の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a hetero-junction bipolar transistor having a base collector mesa having a stable shape, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

安定した形状のベースコレクタメサを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pair differential transistors is biased such that a collector-base junction capacitance of each of the differential transistors becomes a junction capacitance in a quasi-saturation region.例文帳に追加

一対の差動トランジスタは、当該一対の差動トランジスタそれぞれのコレクタ−ベース間の接合容量が準飽和領域の接合容量となるように、バイアスされている。 - 特許庁

例文

In contrast, the metal silicide layer is not formed on a P+ diffusion layer 14 whose junction surface with the N-epitaxial layer 4 is a pn junction surface and which is used as a collector region.例文帳に追加

一方、N-エピタキシャル層4との接合面がpn接合面となるコレクタ領域としてのP+拡散層14には、金属シリサイド層は形成されていない。 - 特許庁

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